一种功率金属氧化物半导体场效应晶体管的驱动电路.pdf

金属氧化物半导体场效应晶体管.ppt 金属－氧化物－半导体场效应晶体管MetalOxideSemiconductorFiledEffectTransistorMOSFET姓名：黄钰凯导师：凌智勇半导体定义：半导体(semiconductor），指常温下导电性能介于导体(conductor)与绝缘体(insulator)之间的材料。锗和硅是最常用的元素半导体；化合物半导体包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物（砷化镓、磷化镓等）、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物(硫化镉、硫化锌等)、氧化物(锰、铬、铁、铜的氧化物),以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物组成的固溶体（镓铝砷、镓砷磷等）。半导体按化学成分分类P型半导体的导电特性：它是靠空穴导电，掺入的杂质越多，多子

2025-01-25 约1.25千字 19页立即下载

一种新型无LDD的SOI金属氧化物半导体场效应晶体管短沟道效应的抑制.pdf 一种新型无LDD的SOI金属氧化物半导体场效应晶体管短沟道效应的抑制摘要一种新型无LDD的SOI金属氧化物半导体场效应晶体管短沟道效应的抑制摘要随着摩尔定律不断延续，通过不断缩小沟道长度，半导体器件具有了更强的性能、更高的集成度。然而，这种缩小也使得器件中短沟道效应愈发明显，诱使器件亚阈值摆幅、泄漏电流等特性发生恶化，增加器件功耗，使得半导体器件等比例缩小

2025-02-20 约20.91万字 90页立即下载

《金属氧化物半导体场效应晶体管》课件.ppt 金属氧化物半导体场效应晶体管本课件将深入介绍金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的原理、结构、特性、应用和最新发展趋势，为学习者提供全面的了解。课程目标和学习要点目标掌握MOSFET的基本原理和工作特性；了解MOSFET的结构和工艺制造流程；熟悉MOSFET在数字电路、模拟电路和功率电路中的应用。要点半导体物理基础MOS结构和表面反型层MOSFET的线性区和饱和区特性寄生效应和可靠性分析新型MOSFET结构 MOSFET的发展历史11920s晶体管的发明21950sMOSFET的首次提出31960s第一个实用型MOSFET问世41970sCMOS技术的诞生51980s微电子技术高速发

2025-03-20 约3.28千字 60页立即下载

2021-10-26 约小于1千字 51页立即下载

《屏蔽栅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术要求》编制说明.pdf 《屏蔽栅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术要求》（征求意见稿）编制说明一、工作简况 1、任务来源根据2020年全国标准化工作要点，大力推动实施标准化战略，持续深化标准化工作改革，加强标准体系建设，提升引领高质量发展的能力。依据《中华人民标准化法》，以及《团体标准管理规定（试行）》相关规定，全国城市工业品贸易中心联合会决定立项并联合相关单位共同制定《屏蔽栅 金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术要求》团体标准。于2025年03月14日，全国城市工业品贸易中心联合会发布《屏蔽栅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术要求》团体标准立项通知，正式立项。 2、起草工作组信息本文件由

2025-04-23 约1.58千字 4页立即下载

《屏蔽栅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术要求》编制说明.docx 《屏蔽栅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术要求》（征求意见稿）编制说明一、工作简况 1、任务来源根据2020年全国标准化工作要点，大力推动实施标准化战略，持续深化标准化工作改革，加强标准体系建设，提升引领高质量发展的能力。依据《中华人民标准化法》，以及《团体标准管理规定（试行）》相关规定，全国城市工业品贸易中心联合会决定立项并联合相关单位共同制定《屏蔽栅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术要求》团体标准。于2025年03月14日，全国城市工业品贸易中心联合会发布《屏蔽栅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术要求》团体标准立项通知，正式立项。 2、起草工作组信息本文件由全国城市工业品贸

2025-04-23 约1.34千字 5页立即下载

屏蔽栅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术要求.pdf ICS31.020 CCSL15 T/QGCML 团体标准 T/QGCMLXXXX—XXXX 屏蔽栅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术要求 Generaltechnicalrequirementsforshieldedgatemetaloxidesemiconductorfield effecttransistors 草案版次选择在提交反馈意见时，请将您知道的相关专利连同支持性文件一并附上。 XXXX-XX-XX发布XXXX-XX-XX实施全国城市工业品贸易中心联合会发布 T/QGCMLXXXX—XXXX 目次 1范围1 2规范性引用文件1 3术语和定义1 4技术要求1 4.1外观

2025-04-18 约7.46千字 8页立即下载

TQGCML-屏蔽栅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术要求.pdf ICS31.020 CCSL15 T/QGCML 团体标准 T/QGCMLXXXX—XXXX 屏蔽栅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术要求 Generaltechnicalrequirementsforshieldedgatemetaloxidesemiconductorfield effecttransistors 草案版次选择在提交反馈意见时，请将您知道的相关专利连同支持性文件一并附上。 XXXX-XX-XX发布XXXX-XX-XX实施全国城市工业品贸易中心联合会发布 T/QGCMLXXXX—XXXX 目次 1范围1 2规范性引用文件1 3术语和定义1 4技术要求1 4.1外观

2025-04-23 约9.21千字 12页立即下载

具有增强高频性能的金属氧化物半导体场效应晶体管.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114883410 A (43)申请公布日 2022.08.09 (21)申请号 202210426847.0 (22)申请日 2022.04.22 (71)申请人上海晶丰明源半导体股份有限公司地址

2023-05-16 约3.56万字 31页立即下载

半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的可动离子试验.docx ICS31.080.01 CCSL40 中华人民共和国国家标准 GB/TXXXXX—XXXX/IEC62417:2010 ` 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs) 的可动离子试验 Semiconductordevices—Mobileiontestsformetal-oxidesemiconductorfieldeffect transistors(MOSFETs) (IEC62417:2010,IDT) (报批稿) (本草案完成时间：2022-12-15) 在提交反馈意见时，请将您知道的相关专利连同支持性文件一并附上。 XXXX-XX-XX发布 XXXX-XX-XX实施

2025-05-08 约4.75千字 13页立即下载

半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的可动离子试验 (1).docx ICS31.080.01 CCSL40 中华人民共和国国家标准 GB/TXXXXX—XXXX/IEC62417:2010 ` 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs) 的可动离子试验 Semiconductordevices—Mobileiontestsformetal-oxidesemiconductorfieldeffect transistors(MOSFETs) (IEC62417:2010,IDT) (报批稿) (本草案完成时间：2022-12-15) 在提交反馈意见时，请将您知道的相关专利连同支持性文件一并附上。 XXXX-XX-XX发布 XXXX-XX-XX实施

2025-05-05 约4.75千字 13页立即下载

半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的可动离子试验.pdf ICS31.080.01 CCSL40 中华人民共和国国家标准 GB/TXXXXX—XXXX/IEC62417:2010 ` 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的可动离子试验 Semiconductordevices—Mobileiontestsformetal-oxidesemiconductorfieldeffect transistors(MOSFETs) (IEC62417:2010,IDT) （报批稿） 2022-12-15 （本草案完成时间：）在提交反馈意见时，请将您知道的相关专利连同支持性文件一并附上。 XXXX-XX-XX发布XXXX-XX-XX实施

2025-05-07 约7.4千字 8页立即下载

CASA 015-20XX 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）功率循环试验方法—征求意见稿.pdf ICSXXX XXX 团体标准 T/CASA015—202X 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）功率循环试验方法 Powercyclingtestmethodforsiliconcarbidemetal- oxide-semiconductorfield-effect-transistor（SiCMOSFET）征求意见稿在提交反馈意见时，请将您知道的相关专利连同支持性文件一并附上 202X-XX-XX发布202X-XX-XX实施第三代半导体产业技术创新战略联盟发布 T/CASA015—202X 前言本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准

2025-03-24 约1.32万字 12页立即下载

《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)功率器件开关动态测试方法》.pdf ICS31.080 CCSL40/49 团体标准 T/CASAS033—2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiCMOSFET）功率器件开关动态测试方法 Switchingdynamictestmethodforsilliconcarbidemetal‑oxidesemiconductor filedeffecttransistors(SiCMOSFET)powerdevice 2024‑11‑19发布2024‑11‑19实施第三代半导体产业技术创新战略联盟发布中国标准出版社出版 T/CASAS033—2024 目次前言……………………………Ⅲ 引言……………………………Ⅳ

2025-04-15 约3.07万字 15页立即下载

《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)功率器件开关动态测试方法》（TCASAS 033-2024）.pdf ICS31.080 CCSL40/49 团体标准 T/CASAS033—2024 台平息碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 信（SiCMOSFET）功率器件开关动态准测试方法 Switchingdynamictestmethodforsilliconcarbidemetal‑oxidesemiconductor 标 filedeffecttransistors(SiCMOSFET)powerdevice 体团国全 2024‑11‑19发布2024‑11‑19实施第三代半导体产业技术创新战略联盟发布中国标准出版社出版 T/CASAS033—2024 目次前言…………………

2025-04-12 约3.53万字 17页立即下载