TQGCML-屏蔽栅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术要求.pdf

ICS31.020

CCSL15

T/QGCML

团体标准

T/QGCMLXXXX—XXXX

屏蔽栅金属氧化物半导体场效应晶体管通

用技术要求

Generaltechnicalrequirementsforshieldedgatemetaloxidesemiconductorfield

effecttransistors

草案版次选择

在提交反馈意见时，请将您知道的相关专利连同支持性文件一并附上。

XXXX-XX-XX发布XXXX-XX-XX实施

全国城市工业品贸易中心联合会  发布

T/QGCMLXXXX—XXXX

目次

1范围1

2规范性引用文件1

3术语和定义1

4技术要求1

4.1外观1

4.2电气特性1

4.3热性能2

4.4可靠性2

4.5封装与机械特性3

5试验方法3

5.1电气特性3

5.2热性能4

5.3可靠性4

5.4封装与机械特性4

6检验规则4

6.1检验分类4

6.2出厂检验4

6.3形式检验5

7标志、包装、运输和贮存5

7.1标志5

7.2包装5

7.3运输5

7.4贮存5

I

T/QGCMLXXXX—XXXX

前言

本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定

起草。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。

本文件由××××提出。

本文件由全国城市工业品贸易中心联合会归口。

本文件起草单位：

本文件主要起草人：

II

T/QGCMLXXXX—XXXX

屏蔽栅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术要求

1范围

本文件规定了屏蔽栅金属氧化物半导体场效应晶体管（以下简称“晶体管”）的技术要求、试验方

法、检验规则、标志、包装、运输、贮存。

本文件适用于屏蔽栅金属氧化物半导体场效应晶体管的研发、生产、检验和使用。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，

仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本

文件。

GB/T228.1金属材料拉伸试验第1部分:室温试验方法

GB/T4586半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管

GB/T4589.1半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范

GB/T4937.23半导体器件机械和气候试验方法第23部分：高温工作寿命

GB50235工业金属管道工程施