半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的可动离子试验.pdf

ICS31.080.01

CCSL40

中华人民共和国国家标准

GB/TXXXXX—XXXX/IEC62417:2010

`

半导体器件

金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）

的可动离子试验

Semiconductordevices—Mobileiontestsformetal-oxidesemiconductorfieldeffect

transistors(MOSFETs)

(IEC62417:2010,IDT)

（报批稿）

2022-12-15

（本草案完成时间：）

在提交反馈意见时，请将您知道的相关专利连同支持性文件一并附上。

XXXX-XX-XX发布XXXX-XX-XX实施

GB/TXXXXX—XXXX/IEC62417:2010

目次

前言II

1范围1

2规范性引用文件1

3术语和定义1

4符号和缩略语1

5通则1

6测试设备2

7测试结构2

8样本量2

9条件2

10程序3

10.1偏压温度应力3

10.2电压扫描3

11判据3

12报告4

I

GB/TXXXXX—XXXX/IEC62417:2010

前言

本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定

起草。

本文件等同采用IEC62417:2010《半导体器件金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的可

动离子试验》。

本文件增加了“规范性引用文件”和“术语和定义”二章。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。

本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出。

本文件由全国半导体器件标准化技术委员会（SAC/TC78）归口。

本文件起草单位：中国电子科技集团公司第十三研究所、河北北芯半导体科技有限公司、安徽华祯

光电有限公司、佛山市川东磁电股份有限公司、厦门芯阳科技股份有限公司、河北新华北集成电路有限

公司、工业和信息化部电子第五研究所、上海维安半导体有限公司、浙江朗德电子科技有限公司、重庆

平伟实业股份有限公司、无锡新洁能股份有限公司、江苏长晶科技股份有限公司。

本文件主要起草人：赵海龙、彭浩、张魁、张中、席善斌、黄志强、黄杰、刘东月、冉红雷、尹丽

晶、颜天宝、裴选、柳华光、曲韩宾、任怀龙、高博、章晓文、苏海伟、陈磊、李述洲、朱袁正、杨国

江。

II

GB/TXXXXX—XXXX/IEC62417:2010

半导体器件

金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的可动离子试验

1范围

本文件规定了一种用于确定金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的氧化层中可动正电荷数

量的晶圆级测试程序。本文件适用于有源场效应晶体管和寄生场效应晶体管。可动电荷会引起半导体器

件退化，例如改变MOSFETs的阈值电压或