碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范.docx

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碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范

1范围

IEC60747的这一部分详细介绍了以下类型的具有反向二极管的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。

——B型：耗尽（常开）型；——C型：增强（常闭）型。

注1：某些应用中的MOSFET可能没有数据手册中的体二极管特性。用于消除体二极管的特殊电路元件结构正在开发中。MOSFET应用（如电机控制设备）需要在MOSFET中指定体二极管特性，以将体二极管用作续流二极管。

注2：MOSFET在IEC60747-8中被划分为一类绝缘栅场效应晶体管（IGFET）。注3：本标准仅使用C型图形符号。它同样适用于B型器件的测量。

2规范性引用文件

下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后修订版均不适用于本标准。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。

IEC60747-1-1983半导体器件分立器件和集成电路第1部分：总则（Semiconductordevices.Discretedevices-Part1:General）

IEC60747-2-2000半导体器件分立器件与集成电路第2部分：整流二极管（Semiconductordevices-Discretedevicesandintegratedcircuits-Part2:Rectifierdiodes）

IEC60747-8-2010半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管（Semiconductordevices-Discretedevices-Part8:Field-effecttransistors）

JEITAEDR-4713-2017化合物半导体可靠性实验方法准则（GuidelinesforCompoundPowerSemiconductorDeviceReliabilityTestMethod）

3术语和定义

下列术语和定义适用于本文件

3.1通用术语

MOSFET的通用术语在IEC60747-8的4.2中定义

3.2等效电路

MOSFET通常包含与MOSFET本身反向并联的体二极管。图1显示了N沟道器件的等效电路。P沟道器件的极性相反。一般情况下，该体二极管不在图形符号中标识。

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图1具有体二极管的MOSFET的等效电路

3.3与额定值和特性有关的术语3.3.1

关断电压的上升速率rateofriseofoff-statevoltage

dv/dt

在体二极管的反向恢复期间漏极-源极关断电压上升速率。3.3.2

反偏安全工作区reverse-biassafeoperatingarea

RBSOA

在漏极电流与漏极-源极电压区域，其中MOSFET能够在钳位电感负载的情况下重复地关断而不失效。

3.3.3

短路安全工作区shortcircuitsafeoperatingarea

SCSOA

在漏极电流与漏极电压区域，其中MOSFET能够在没有故障的情况下非重复地开通和关断。3.3.4

雪崩能量（用于雪崩器件）avalancheenergy

EA

关断期间的雪崩能量3.3.5

重复雪崩能量（用于雪崩器件）repetitiveavalancheenergy

EAR

关断期间重复的雪崩能量3.3.6

非重复雪崩能量（用于雪崩装置）non-repetitiveavalancheenergy

EAS

关断期间的非重复雪崩能力（单脉冲）

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3.3.7

漏极泄漏电流drainleakagecurrent

IDS

关断状态下的漏极电流3.3.8

漏极-源极的击穿电压breakdownvoltage,draintosource

V(BR)DS

关断状态下的漏极-源极击穿电压3.3.9

（短路）输入电容(short-circuit)inputcapacitance

Ciss

见IEC60747-8中的4.3.6.1。3.3.10

（短路）输出电容(short-circuit)outputcapacitance

Coss

见IEC60747-8中的4.3.6.2。3.3.11

（短路）反向传输电容(short-circuit)reversetransfercapacitance

Crss

见IEC60747-8中的4.3.6.3。3.3.