碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管结壳热阻测试方法.pdf

CASA 016—202X 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）结壳热阻瞬态双界面测试方法—征求意见稿.pdf ICSXXX XXX 团体标准 T/CASA016—202X 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）结壳热阻瞬态双界面测试方法 Transientdualtestmethodforthemeasurementofthethermal resistancejunctiontocaseofsiliconcarbidemetal-oxide- semiconductorfield-effect-transistor（SiCMOSFET）草案在提交反馈意见时，请将您知道的相关专利连同支持性文件一并附上 202X-XX-XX发布202X-XX-XX实施第三代半导体产业技术创新战

2025-03-27 约1.45万字 14页立即下载

T_CASAS 016—2022_碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiCMOSFET）结壳热阻瞬态双界面测试方法.pdf ICS31.080 L40/49 团体标准 T/CASAS016—2022 台平

2025-05-17 约1.43万字 12页立即下载

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2025-04-14 约1.6万字 13页立即下载

碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）栅极电荷测试方法.docx ICS ICS31.080 CCSL40/49 CASA 第三代半导体产业技术创新战略联盟Chinaadvancedsemiconductorindustryinnovationalliance 团体标准 T/CASAS037—2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiCMOSFET)栅极电荷测试方法 Gatechargetestmethodforsiliconcarbidemetal-oxidesemiconductorfield effecttransisto

2025-04-14 约9.43千字 26页立即下载

T CASAS 037—2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）栅极电荷测试方法.pdf ICS31.080 CCSL40/49 团体标准 T/CASAS037—2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiCMOSFET）栅极电荷测试方法 Gatechargetestmethodforsiliconcarbidemetal‑oxidesemiconductorfield effecttransistors（SiCMOSFET） 2024‑11‑19发布2024‑11‑19实施第三代半导体产业技术创新战略联盟发布中国标准出版社出版 T/CASAS037—2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiCMOSFET）栅极电荷测试方法 1范围本文件描述了碳化硅金属氧化

2025-04-16 约1.43万字 11页立即下载

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2025-04-15 约1.99万字 12页立即下载

《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)功率器件开关动态测试方法》.pdf ICS31.080 CCSL40/49 团体标准 T/CASAS033—2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiCMOSFET）功率器件开关动态 测试方法 Switchingdynamictestmethodforsilliconcarbidemetal‑oxidesemiconductor filedeffecttransistors(SiCMOSFET)powerdevice 2024‑11‑19发布2024‑11‑19实施第三代半导体产业技术创新战略联盟发布中国标准出版社出版 T/CASAS033—2024 目次前言……………………………Ⅲ 引言……………………………Ⅳ

2025-04-15 约3.07万字 15页立即下载

《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)功率器件开关动态测试方法》（TCASAS 033-2024）.pdf ICS31.080 CCSL40/49 团体标准 T/CASAS033—2024 台平息 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 信（SiCMOSFET）功率器件开关动态准 测试方法 Switchingdynamictestmethodforsilliconcarbidemetal‑oxidesemiconductor 标 filedeffecttransistors(SiCMOSFET)powerdevice 体团国全 2024‑11‑19发布2024‑11‑19实施第三代半导体产业技术创新战略联盟发布中国标准出版社出版 T/CASAS033—2024 目次前言…………………

2025-04-12 约3.53万字 17页立即下载

《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFETs)阈值电压测试方法》（TCASAS 021-2024）.pdf ICS31.080 CCSL40/49 团体标准 T/CASAS021—2024 台平息 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 信（SiCMOSFET）阈值电压测试方法 准 Thresholdvoltagetestmethodforsiliconcarbidemetal-oxidesemiconductor fieldeffecttransistors(SiCMOSFET) 标体团国全 2024‑11‑19发布2024‑11‑19实施第三代半导体产业技术创新战略联盟发布中国标准出版社出版 T/CASAS021—2024 目次前言……………………………Ⅲ 台引言…………………

2025-04-12 约2.22万字 14页立即下载

《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）栅极电荷测试方法》（TCASAS 037-2024）.pdf ICS31.080 CCSL40/49 团体标准 T/CASAS037—2024 台平息 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 信（SiCMOSFET）栅极电荷测试方法 准 Gatechargetestmethodforsiliconcarbidemetal‑oxidesemiconductorfield effecttransistors（SiCMOSFET）标体团国全 2024‑11‑19发布2024‑11‑19实施第三代半导体产业技术创新战略联盟发布中国标准出版社出版 T/CASAS037—2024 目次前言……………………………Ⅲ 台引言……………………………Ⅳ

2025-04-12 约2.11万字 15页立即下载

碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFETs)阈值电压测试方法.docx ICS ICS31.080 CCSL40/49 CASA 第三代半导体产业技术创新战略联盟Chinaadvancedsemiconductorindustryinnovationalliance 团体标准 T/CASAS021—2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiCMOSFET)阈值电压测试方法 Thresholdvoltagetestmethodforsiliconcarbidemetal-oxidesemiconductor fieldeffecttransi

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碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)功率器件开关动态测试方法.docx ICS ICS31.080 CCSL40/49 CASA 第三代半导体产业技术创新战略联盟Chinaadvancedsemiconductorindustryinnovationalliance 团体标准 T/CASAS033—2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (SiCMOSFET)功率器件开关动态 测试方法 Switchingdynamictestmethodforsilliconcarbidemetal-oxidesemiconductorfiledeffec

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《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）动态栅偏试验方法》.pdf ICS31.080 CCSL40/49 团体标准 T/CASAS045—2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiCMOSFET）动态栅偏试验方法 Dynamicgatestresstestmethodforsiliconcarbidemetal‑oxide semiconductorfieldeffecttransistors（SiCMOSFET） 2024‑11‑19发布2024‑11‑19实施第三代半导体产业技术创新战略联盟发布中国标准出版社出版 T/CASAS045—2024 目次前言……………………………Ⅲ 引言……………………………Ⅳ 1范围…………………………1

2025-04-15 约1.2万字 9页立即下载

《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）动态反偏(DRB)试验方法》.pdf ICS31.080 CCSL40/49 团体标准 T/CASAS046—2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiCMOSFET）动态反偏（DRB）试验方法 Dynamicreversebias（DRB）testmethodforsiliconcarbidemetal‑oxide semiconductorfiledeffecttransistors（SiCMOSFET） 2024‑11‑19发布2024‑11‑19实施第三代半导体产业技术创新战略联盟发布中国标准出版社出版 T/CASAS046—2024 目次前言……………………………Ⅲ 引言……………………………Ⅳ 1范围

2025-04-13 约1.38万字 9页立即下载

《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）高温反偏试验方法》.pdf ICS31.080 CCSL40/49 团体标准 T/CASAS043—2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiCMOSFET）高温反偏试验方法 Hightemperaturereversebiastestmethodforsiliconcarbidemetal‑oxide semiconductorfiledeffecttransistors（SiCMOSFET） 2024‑11‑19发布2024‑11‑19实施第三代半导体产业技术创新战略联盟发布中国标准出版社出版 T/CASAS043—2024 目次前言……………………………Ⅲ 引言……………………………Ⅳ 1范围………

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