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T_CASAS 035—2024(用于第三象限续流的氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT)动态导通电阻测试方法).pdf

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ICS31.080

CCSL40/49

团体标准

T/CASAS035—2024

用于第三象限续流的氮化镓高电子迁移率

晶体管(HEMT)动态导通电阻测试方法

Dynamicon-resistancetestmethodforGaNhighelectronmobility

transistor(HEMT)inthirdquadrantconductionmode

2024-09-30发布2024-09-30实施

第三代半导体产业技术创新战略联盟发布

T/CASAS035—2024

目次

前言III

引言IV

1范围1

2规范性引用文件1

3术语和定义1

4第三象限续流电路动态导通电阻测试原理2

5测试条件4

6测试装置4

7测试程序5

测试方法5

测试流程8

8数据记录和处理9

9试验报告9

附录A(资料性)用于第三象限续流的GaNHEMT动态导通电阻测试记录表10

参考文献11

I

T/CASAS035—2024

前言

本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作

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