高电子迁移率晶体管外延片及其制备方法.pdf
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(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112928162 A
(43)申请公布日 2021.06.08
(21)申请号 202110048325.7
(22)申请日 2021.01.14
(71)申请人 华灿光电(浙江)有限公司
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