文档详情

高电子迁移率晶体管外延片及其制备方法.pdf

发布:2023-06-10约1.4万字共12页下载文档
文本预览下载声明
(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112928162 A (43)申请公布日 2021.06.08 (21)申请号 202110048325.7 (22)申请日 2021.01.14 (71)申请人 华灿光电(浙江)有限公司
显示全部
相似文档