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一种复合沟道结构高电子迁移率晶体管及其制备方法.pdf

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(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114566545 A (43)申请公布日 2022.05.31 (21)申请号 202210116370.6 (22)申请日 2022.02.07 (71)申请人西安电子科技大学

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