一种新的磷化铟复合沟道高电子迁移率晶体管小信号物理-物理学报.PDF
文本预览下载声明
第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报
’’ ( $$# ( , , ,
ILK ?’’ PL ?( VOK9 $$#
( )
!$$$;A$$$#’’ $( A#!(;$’ =C/= +,U0)C= 0)P)C= !$$# CN1* ? +N98 ? 0LH ?
一种新的磷化铟复合沟道高电子迁移率
晶体管小信号物理模型!
)) ) ) ) ) ) )
! !
李 潇 刘 亮 张海英 尹军舰 李海鸥 叶甜春 龚 敏
!)(四川大学物理科学与技术学院,成都 #!$$#% )
)(中国科学院微电子研究所,北京 !$$$ )
( 年 月 日收到; 年 月 日收到修改稿)
$$’ ! ! $$# !(
针对磷化铟( )复合沟道高电子迁移率晶体管( )的特点,对常规单沟道 的小信号物理模型进行
)*+ ,-./ ,-./
了修正,提出了一种新的用于复合沟道 的小信号物理模型,用商用器件模拟软件 (
,-./ )0- 1 89823:8
3*41*3351*4)对其进行了仿真验证,对比了实测和仿真的 特性及转移特性曲线,重点研究了在 双层沟
!; )*6=8 )*+
道中考虑量子效应后的电场和电流密度随着不同栅电压的变化趋势,研究结果表明,由于在沟道中存在量子效应,
在栅下靠源端低电场区域,电流主要分布在 沟道,而在靠漏端高电场区域,电流主要分布在 沟道,电流
)*6=8 )*+
在 与 沟道中的分配比例随着栅压的变化而变化,从而验证了新模型的正确性
)*6=8 )*+ ?
关键词:高电子迁移率晶体管,复合沟道,物理模型,磷化铟
: , ,
!## (@$- (A#$B #!@’
[]
A
值能量( )比 ( )高 ,所以
显示全部