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一种新的磷化铟复合沟道高电子迁移率晶体管小信号物理-物理学报.PDF

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第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 ’’ ( $$# ( , , , ILK ?’’ PL ?( VOK9 $$# ( ) !$$$;A$$$#’’ $( A#!(;$’ =C/= +,U0)C= 0)P)C= !$$# CN1* ? +N98 ? 0LH ? 一种新的磷化铟复合沟道高电子迁移率 晶体管小信号物理模型! )) ) ) ) ) ) ) ! ! 李 潇 刘 亮 张海英 尹军舰 李海鸥 叶甜春 龚 敏 !)(四川大学物理科学与技术学院,成都 #!$$#% ) )(中国科学院微电子研究所,北京 !$$$ ) ( 年 月 日收到; 年 月 日收到修改稿) $$’ ! ! $$# !( 针对磷化铟( )复合沟道高电子迁移率晶体管( )的特点,对常规单沟道 的小信号物理模型进行 )*+ ,-./ ,-./ 了修正,提出了一种新的用于复合沟道 的小信号物理模型,用商用器件模拟软件 ( ,-./ )0- 1 89823:8 3*41*3351*4)对其进行了仿真验证,对比了实测和仿真的 特性及转移特性曲线,重点研究了在 双层沟 !; )*6=8 )*+ 道中考虑量子效应后的电场和电流密度随着不同栅电压的变化趋势,研究结果表明,由于在沟道中存在量子效应, 在栅下靠源端低电场区域,电流主要分布在 沟道,而在靠漏端高电场区域,电流主要分布在 沟道,电流 )*6=8 )*+ 在 与 沟道中的分配比例随着栅压的变化而变化,从而验证了新模型的正确性 )*6=8 )*+ ? 关键词:高电子迁移率晶体管,复合沟道,物理模型,磷化铟 : , , !## (@$- (A#$B #!@’ [] A 值能量( )比 ( )高 ,所以
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