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AlGaNGaN+高电子迁移率晶体管解析模型.pdf

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第 期 电 子 学 报 2 3#1;; %#12 年 月 2++ 2 !@:! 8d8@:,]%e@! Ae%e@! B_)1 2++ 高电子迁移率晶体管解析模型 !#$% #$% 杨 燕 王 平 郝 跃 张进城 李培咸 ’ ’ ’ ’ 西安电子科技大学微电子所 陕西西安 ( ’ )*++)*, 摘 要 基于电荷控制理论 考虑到极化效应和寄生漏源电阻的影响 建立了能精确模拟 高电子 - ’ ’ !#$% #$% 迁移率晶体管直流 特性和小信号参数的解析模型 计算表明 自发极化和压电极化的综合作用对器件特性影响尤 1 ’ / .0 为显著 栅压下 栅长为 的 获得的最大漏电流为 降低寄生源漏电阻可 ’2 ’ * +12 +16 *;)+ 3 45 ! #$ % #$% 789: 5! 55 以获得更高的饱和电流 跨导和截至频率 模拟结果同已有的测试结果较为吻合 该模型具有物理概念明确且算法简 = 1 ’ 单的优点 适于微波器件结构和电路设计 ’ 1 关键词 高电子迁移率晶体管 解析模型 极化效应 寄生源漏电阻 - !#$% #$% 中图分类号- :%;2 文献标识码- ! 文章编号- +;)2/2**2(2++,+2/+2+/+? @ABCDEFGBCHIJKCLIM@CNBO NBOPFQRSCKGEMIAHITFCFEDUMBAVFVEIM ’ ’ ’ / ’ / W!%# W$X Y!%# Z[X\ 7!] W^_‘7!%# a[Xbc_X\ deZ_[f[$X ( 1 ’ ’ ’ )*++)*’ , ghihjklm.niopqrslkphthlokpnsliusvsjnwnsxhkisoy uszjn {mjjn|s }msnj - ’ / @TVEMBGE ~$!_#X
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