RF-MBE生长的AlGaNGaN高电子迁移率晶体管特性(英文).pdf
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AlGaNGaN高电子迁移率晶体管击穿特性研究的开题报告
一、研究背景
当前，随着电子信息技术的快速发展，高频、高功率、高可靠性、高线性度的功率器件需求日益增长。而传统的功率器件在高频时存在着很多问题，如电压容忍度低、开关速度慢、噪声大等，因此需要高性能的力电子器件来解决这些问题。AlGaNGaN材料因其优良的高频高功率性能而成为研究热点，其中高电子迁移率晶体管(HEMT)表现出了极高的性能，已成为目前最具市场潜力的功率器件之一。然而，HEMT器件的击穿特性对其稳定性和寿命有着很大的影响，因此需要深入研究其击穿特性，以提高器件的可靠性和寿命。
二、研究内容
本项目将主要从以下几个方面展开研究：
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AlGaNGaN+高电子迁移率晶体管解析模型.pdf
第 期 电 子 学 报
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高电子迁移率晶体管解析模型
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AlGaNGaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件与微波单片电路研究的中期报告
这篇中期报告主要研究了AlGaNGaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件与微波单片电路的相关问题。具体研究内容如下：
1. AlGaNGaN HEMT器件设计和优化
本研究使用了多种工艺和材料优化方法，改善了器件性能。其中，通过采用深亚微米工艺实现阈值电压调节，以及引入离子注入实现高电阻区形成，成功地提高了器件的漏电流控制和减小了串联电阻。
2. AlGaNGaN HEMT器件测试和分析
对优化后的AlGaNGaN HEMT器件进行了多种电气测试和物理分析。测试结果表明，改进后的器件具有更好的电性能，特别是在较高电
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增强型AlGaNGaN高电子迁移率晶体管高温退火研究.PDF
065
第 59 卷 第 10 期 2010 年 10 月 物 理 学 报 Vol. 59，No. 10，October 2010
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1000-3290 /2010 /59
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AlGaNGaN高电子迁移率晶体管TCAD仿真研究的开题报告
一、选题背景与意义：
高电子迁移率晶体管（HEMT）是一种在通信、微波、毫米波领域广泛应用的器件，具有高频率、高增益、低噪声等优点。AlGaNGaNHEMT是近年来发展起来的一种新型HEMT，由于其具有高的电子迁移率与高的饱和漂移速度，广泛应用于高频电子领域。因此，对AlGaNGaNHEMT的研究具有重要的理论意义和现实意义。
针对AlGaNGaNHEMT器件，通过TCAD仿真研究其特性参数的变化规律，探究其电子能级结构、载流子输运机理、缺陷电荷分布等特性，对改进器件性能、设计与制造具有重要的指导意义。
二、研究内容及方法：
本文将
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高电子迁移率晶体管.ppt
***************6高电子迁移率晶体管（HEMT）本章内容*1.HEMT的基本结构和工作原理2.HEMT基本特性3.赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)4.HEMT应用领域6.1HEMT的基本结构和工作原理*HEMT的基本结构就是一个调制掺杂异质结，在图中示出了AlGaAs/GaAs异质结HEMT的结构；在宽禁带的AlGaAs层（控制层）中掺有施主杂质，在窄禁带的GaAs层（沟道层）中不掺杂（即为本征层）AlGaAs层通常称为控制层，它和金属栅极形成肖特基势垒结，和GaAs层形成异质结01HEMT的基本结构026.1HEMT的基本结构和工作原理*这里AlGaAs/GaAs就是一个调
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一种外延片、外延片生长方法及高电子迁移率晶体管.pdf
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114551593 A
(43)申请公布日 2022.05.27
(21)申请号 202210049690.4 H01L 29/20 (2006.01)
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(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114551594 A
(43)申请公布日 2022.05.27
(21)申请号 202210051646.7 H01L 29/15 (2006.01)
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AlGaN-GaN高电子迁移率晶体管的特性研究
AlGaN-GaN高电子迁移率晶体管的特性研究一、引言
随着现代电子技术的快速发展，半导体器件在高性能电子系统中的应用越来越广泛。其中，AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）因其出色的电性能和稳定性，在功率放大器、高频高速电路等领域得到了广泛的应用。本文旨在深入研究AlGaN/GaNHEMT的特性和性能，以期为相关应用提供理论支持和指导。
二、AlGaN/GaNHEMT的基本结构与工作原理
AlGaN/GaNHEMT是一种基于III族氮化物的功率半导体器件，其基本结构由氮化镓（GaN）和铝镓氮（AlGaN）层构成，通过异质结的形式形成二
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高电子迁移率晶体管的噪声特性分析论文
摘要：
本文针对高电子迁移率晶体管（HEMT）的噪声特性进行了深入分析。通过对HEMT噪声产生机理的研究，探讨了影响其噪声性能的关键因素，并提出了相应的优化策略。文章首先介绍了HEMT的基本原理和特性，然后分析了HEMT噪声的产生机制，最后通过实验验证了所提出优化策略的有效性。
关键词：高电子迁移率晶体管；噪声特性；产生机理；优化策略
一、引言
（一）高电子迁移率晶体管（HEMT）概述
1.内容一：HEMT的基本原理
（1）HEMT的基本结构和工作原理：HEMT是一种基于二维电子气（2DEG）的场效应晶体管，其基本结构包括沟道、源极、漏极和栅极。通过控制栅
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AlGaNGaN高电子迁移率晶体管串联电阻精确提取及直流应力可靠性研究的开题报告
标题：AlGaNGaN高电子迁移率晶体管串联电阻精确提取及直流应力可靠性研究
研究背景：
AlGaNGaN材料在近年来得到了广泛的研究和应用，其高电子迁移率和宽带隙等特性使其成为高功率电子器件的重要材料。AlGaNGaN高电子迁移率晶体管（HEMT）是其中的一种典型器件，具有高频高功率、低噪声、高可靠性等特点，在微波通信、雷达、卫星通信、无线网络等领域有着广泛的应用。
现有的AlGaNGaNHEMT模型主要是建立在理论计算和器件电路仿真的基础上，但是由于器件制备工艺复杂和器件物理特性的多样性，使得理论计算和仿真模
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(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112820773 A
(43)申请公布日
2021.05.18
(21)申请号 2
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GaN基高电子迁移率晶体管退化及恢复特性研究的开题报告
一、研究背景和意义：
GaN基高电子迁移率晶体管是一种重要的半导体器件，具有高速、高功率和高温工作等特点，在通信、雷达、太空技术等领域有广泛应用。然而，高电场作用下，GaN材料和器件会发生退化，导致晶体管的性能和可靠性下降，影响其长期稳定性和寿命。
因此，研究GaN晶体管退化及恢复特性，寻找有效的恢复方案，对于提高GaN晶体管的长期稳定性和可靠性，具有重要的理论和应用意义。
二、研究内容和方法：
本研究计划通过实验方法，研究GaN基高电子迁移率晶体管退化的机制和恢复的特性。具体内容包括：
1.设计制备GaN晶体管样品，并进行DC、RF性能
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微电子器件（5-3）高电子迁移率晶体管(HEMT) .pptx
5.3高电子迁移率晶体管(HEMT);1、在GaAs衬底上采用MBE（分子束外延）等技术连续生长出高纯度的GaAs层和n型AlGaAs层；
2、然后进行台面腐蚀以隔离有源区；
;一般该隔离层厚度取为7~10nm。既能保证高的2-DEG的面密度，又可降低杂质中心的Coulomb散射;5.3.2HEMT的工作原理
;栅电压可以控制三角型势阱的深度和宽度，从而可以改变2-DEG的浓度，以达到控制HEMT电流的目的。属于耗尽型工作模式。;如果AlGaAs/GaAs异质结中存在缓变层，缓变层厚度WGR的增大将使2-DEG的势阱增宽，使势阱中电子的子能带降低，从而确定的Fermi能级下，2-DEG的浓度增