GaN基高电子迁移率晶体管退化及恢复特性研究的开题报告.docx

GaN基高电子迁移率晶体管退化及恢复特性研究的开题报告

一、研究背景和意义：

GaN基高电子迁移率晶体管是一种重要的半导体器件，具有高速、高功率和高温工作等特点，在通信、雷达、太空技术等领域有广泛应用。然而，高电场作用下，GaN材料和器件会发生退化，导致晶体管的性能和可靠性下降，影响其长期稳定性和寿命。

因此，研究GaN晶体管退化及恢复特性，寻找有效的恢复方案，对于提高GaN晶体管的长期稳定性和可靠性，具有重要的理论和应用意义。

二、研究内容和方法：

本研究计划通过实验方法，研究GaN基高电子迁移率晶体管退化的机制和恢复的特性。具体内容包括：

1.设计制备GaN晶体管样品，并进行DC、RF性能测试和可靠性寿命测试。

2.通过高电场、高温等条件下的退化实验，探究晶体管在极端工作环境下的退化过程和机制。

3.研究不同恢复方案对于晶体管性能和可靠性的影响，包括热退火、氢气退火、电子注入等恢复方法。

4.对比不同恢复方案的效果和机理，为GaN晶体管的长期稳定性和可靠性提供理论和实验基础。

三、预期成果和意义：

本研究预期探究GaN基高电子迁移率晶体管在极端工作环境下的退化和恢复机制，为提高晶体管的可靠性、稳定性和寿命提供基础理论和实验依据。同时，该研究还将为GaN器件的制备、测试和应用提供可靠性指标和技术支持，促进相关技术的推广和应用。