T CASAS 035—2024 用于第三象限续流的氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT)动态导通电阻测试方法.pdf

ICS31.080

CCSL40/49

团体标准

T/CASAS035—2024

用于第三象限续流的氮化镓高电子迁移率

晶体管(HEMT)动态导通电阻测试方法

Dynamicon-resistancetestmethodforGaNhighelectronmobility

transistor(HEMT)inthirdquadrantconductionmode

2024-09-30发布2024-09-30实施

第三代半导体产业技术创新战略联盟发布

目次

前言III

引言IV

1范围1

2规范性引用文件1

3术语和定义1

4第三象限续流电路动态导通电阻测试原理2

5测试条件4

6测试装置4

7测试程序5

测试方法5

测试流程8

8数据记录和处理9

9试验报告9

附录A（资料性）用于第三象限续流的GaNHEMT动态导通电阻测试记录表10

参考文献11

前言

本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规

定起草。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。

本文件由北京第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会（CASAS）制定发布，版权归CASAS

所有，未经CASAS许可不得随意复制；其他机构采用本文件的技术内容制定标准需经CASAS允许；任何

单位或个人引用本文件的内容需指明本文件的标准号。

本文件主要起草单位：浙江大学、浙江大学杭州国际科创中心、广东工业大学、工业和信息化部电

子第五研究所、电子科技大学、南京大学、佛山市联动科技股份有限公司、佛山市国星光电股份有限公

司、西交利物浦大学、香港科技大学、深圳智芯微电子科技有限公司、深圳市大能创智半导体有限公司、

华为技术有限公司、苏州能讯高能半导体有限公司、英诺赛科(苏州)半导体有限公司、纳微达斯半导体

（上海）有限公司、杭州士兰微电子股份有限公司、英飞凌科技（中国）有限公司、矽力杰半导体技术

(杭州)有限公司、浙江聚新汽车电子有限责任公司、连云港杰瑞电子有限公司、晟星和科技（深圳）有

限公司、杭州蔚斯博系统科技有限公司、深圳英飞源技术有限公司、深圳市航嘉驰源电气股份有限公司、

东莞立讯技术有限公司、深圳市振华微电子有限公司、小米通讯技术有限公司、阳光电源股份有限公司、

长城电源技术有限公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟。

本文件主要起草人：吴新科、董泽政、贺致远、施宜军、明鑫、周峰、刘庆源、成年斌、刘雯、孙

佳慧、温雷、谢斌、周泉斌、裴轶、林逸铭、陈常、徐迎春、贾利芳、宋清亮、赵晨、徐昌国、王廷营、

毛敏、刘钢、柳树渡、赵如、王福强、张天会、林梓彦、王腾飞、蔡磊、赵璐冰。

引言

在电力电子变换器中，存在GaNHEMT工作于第三象限续流的情况。比如在图腾柱PFC中，为提高

效率，降低反向沟道自然开通时的损耗，通常引入互补管进行同步整流。此外，在逆变器的部分模态中，

GaNHEMT也工作于第三象限续流模式。

在GaNHEMT功率器件的栅极信号上升以前，器件电流由源极经沟道反向导通流向漏极，且器件开

通之后，器件电流持续反向流过沟道，即为第三象限续流模式。相比工作于第一象限导通，GaNHEMT在

第三象限续流时，缺少硬开通过程中的热电子冲击，器件沟道中二维电子气浓度的变化情况与第一象限

导通时不同。此外，GaNHEMT工作在第三象限续流模式时存在硬关断和零电流软关断两种模态，现有

用于硬开关电路的GaNHEM