TCACAS035-用于第三象限续流的氮化镓高电子迁移率晶体管动态导通电阻测试方法.pdf

ICSXXX

XXX

团体标准

T/CASAS035—202X

用于第三象限续流的氮化镓高电子迁移率

晶体管动态导通电阻测试方法

Dynamicon-resistancetestmethodforGaNhighelectronmobility

transistor(HEMT)inthirdquadrantconductionmode

版本：征求意见稿

在提交反馈意见时，请将您知道的相关专利连同支持性文件一并附上

XXXX-XX-XX发布XXXX-XX-XX实施

第三代半导体产业技术创新战略联盟发布

T/CASAS035—202X（征求意见稿）

目次

前言III

引言IV

1范围1

2规范性引用文件1

3术语和定义1

4第三象限续流电路动态导通电阻测试原理2

5测试条件4

6测试装置4

7测试程序4

测试方法4

测试流程7

8数据记录和处理8

9试验报告8

附录A（资料性）用于第三象限续流的GaNHEMT动态导通电阻测试记录表9

参考文献10

I

T/CASAS035—202X（征求意见稿）

前言

本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规

定起草。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。

本文件由北京第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会（CASAS）制定发布，版权归CASAS

所有，未经CASAS许可不得随意复制；其他机构采用本文件的技术内容制定标准需经CASAS允许；任何

单位或个人引用本文件的内容需指明本文件的标准号。

本文件主要起草单位：……

本文件主要起草人：……

III

T/CASAS035—202X（征求意见稿）

引言

在电力电子变换器中，存在GaNHEMT工作于第三象限续流的情况。比如在图腾柱PFC中，为提高

效率，降低反向沟道自然开通时的损耗，通常引入互补管进行同步整流。此外，在逆变器的部分模态中，

GaNHEMT也工作于第三象限续流模式。

在GaNHEMT功率器件的栅极信号上升以前，器件电流由源极经沟道反向导通流向漏极，且器件开

通之后，器件电流持续反向流过沟道，即为第三象限续流模式。相比工作于第一象限导通，GaNHEMT在

第三象限续流时，缺少硬开通过程中的热电子冲击，器件沟道中二维电子气浓度的变化情况与第一象限

导通时不同。此外，GaNHEMT工作在第三象限续流模式时存在硬关断和零电流