等组分_浓度_溶液晶体生长方法及其应用 .doc.pdf

FEMAG晶体生长专业模拟软件晶体中氧浓度和各组分浓度预测.ppt FEMAGSoft ? 2013 FEMAG晶体生长专业模拟软件FEMAG Prediction of Oxygen and Species Concentrations in the Crystal 3. Species transport FEMAGSoft ? 2013 Crucible radius = 0.1 m Crystal radius = 0.05 m Crystal rotation rate = -16 rpm Crucible rotation rate = 8 rpm Pulling rate = 1 mm/min Limited Mixing Leng

2015-09-24 约1.6千字 6页立即下载

晶体生长方法新.docx 晶体生长方法提拉法（Czochralski,Cz）图1　提拉法晶体生长装置结构示意图晶体提拉法的创始人是J. Czochralski，他的论文发表于1918年。提拉法是熔体生长中最常用的一种方法，许多重要的实用晶体就是用这种方法制备的。近年来，这种方法又得到了几项重大改进，如采用液封的方式（液封提拉法，LEC），如图1，能够顺利地生长某些易挥发的化合物（GaP等）；采用导模的方式（导模提拉法）生长特定形状的晶体（如管状宝石和带状硅单晶等）。所谓提拉法，是指在合理的温场下，将装在籽晶杆上的籽晶下端，下到熔体的原料中，籽晶杆在旋转马达及提升机构的作用下，一边旋转一边缓慢地向上提拉，经过缩颈、扩肩、

2017-06-16 约字 6页立即下载

晶体生长炉的装料称重装置及其称量方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112834003 B (45)授权公告日 2023.03.28 (21)申请号 202011629230.6 审查员孙溪 (22)申请日 2020.12.31

2023-06-06 约2.16万字 18页立即下载

晶体生长机理及其培养.ppt 关于晶体生长机理及其培养第1页，课件共27页，创作于2023年2月一、从天然晶体到人工晶体晶体：构成物质的原子、分子在空间作长程有序的排列，形成具有一定的点阵结构的固体。所谓长程有序就是由一些相同的质点（基元）在空间有规则地作周期性的无限分布。即至少在微米级的范围内是有序的排列。这些质点代表原子、离子、分子或基团。第2页，课件共27页，创作于2023年2月晶体分成天然晶体和人工晶体第3页，课件共27页，创作于2023年2月古代制盐术国外最早由文字记载的人工合成晶体工作是1540年，勃林古西欧首先详细记录了硝石的滤取及其重结晶提纯的过程。中国的晶体生长工作可追溯到一千多年以前，宋代程大昌所著《演

2024-03-06 约3.03千字 27页立即下载

晶体生长机理及其培养.ppt 关于晶体生长机理及其培养一、从天然晶体到人工晶体晶体：构成物质的原子、分子在空间作长程有序的排列，形成具有一定的点阵结构的固体。所谓长程有序就是由一些相同的质点（基元）在空间有规则地作周期性的无限分布。即至少在微米级的范围内是有序的排列。这些质点代表原子、离子、分子或基团。第2页,共27页，2024年2月25日，星期天晶体分成天然晶体和人工晶体第3页,共27页，2024年2月25日，星期天古代制盐术国外最早由文字记载的人工合成晶体工作是1540年，勃林古西欧首先详细记录了硝石的滤取及其重结晶提纯的过程。中国的晶体生长工作可追溯到一千多年以前，宋代程大昌所著《演繁露》记载道：“盐已成卤水，暴烈日

2024-04-19 约3.73千字 27页立即下载

晶体生长机理及其培养.ppt 一、从天然晶体到人工晶体晶体：构成物质的原子、分子在空间作长程有序的排列，形成具有一定的点阵结构的固体。所谓长程有序就是由一些相同的质点（基元）在空间有规则地作周期性的无限分布。即至少在微米级的范围内是有序的排列。这些质点代表原子、离子、分子或基团。第2页,共24页，星期六，2024年，5月晶体分成天然晶体和人工晶体第3页,共24页，星期六，2024年，5月古代制盐术国外最早由文字记载的人工合成晶体工作是1540年，勃林古西欧首先详细记录了硝石的滤取及其重结晶提纯的过程。中国的晶体生长工作可追溯到一千多年以前，宋代程大昌所著《演繁露》记载道：“盐已成卤水，暴烈日，即成方印，洁白可爱，初小渐大，

2025-02-05 约3.55千字 24页立即下载

2017-12-14 约6.13千字 48页立即下载

4章硅的晶体生长.ppt 目前，拉制单晶硅棒有CZ法（坩埚拉制）和区熔法两种。CZ法因使用石英坩埚而不可避免地引入一定量的氧，对大多数半导体器件来说影响不大，但对高效太阳电池，氧沉淀物是复合中心，从而降低材料少子寿命。区熔法可以获得高纯无缺陷单晶。直拉法比用区熔法更容易生长获得较高氧含量(12～14 mg/kg)和大直径的硅单晶棒。根据现有的工艺水半，采用直拉法已可生长出6～18in(150～450 mm)的大直径硅单晶棒。1979年国外研制、生产出直径150 mm(6in)；1986年国外研制、生产出直径200mm(8in)；1996年国外研制、生产出直径300mm(12in)；1998年国外研制出直径400 mm

2017-10-14 约1.07万字 67页立即下载

《晶体生长方法简介》课件.ppt **********************晶体生长方法简介晶体生长是材料科学和工程中的一个重要领域,涉及各种复杂的化学和物理过程。本课件将概述几种常见的晶体生长方法,并介绍它们的特点和适用范围。引言晶体的重要性晶体在光电子、能源、环境等领域有广泛应用。掌握晶体生长技术对科技发展有重要意义。晶体生长研究从原子尺度到宏观晶体，了解晶体生长的基本原理和影响因素是研究的重点。实验探索通过实验观察和测量手段来研究晶体生长过程及其规律是必要的研究方法。晶体生长的意义材料科学发展晶体生长是材料科学和工程的基础,为各种新材料的开发和应用奠定了基础。科研成果转化晶体生长技术的进步推动了诸多领域的科研成果转化为

2025-01-13 约5.18千字 31页立即下载

晶体生长方法概要.ppt 晶体特别是单晶广泛应用于各个高新科技领域：激光工作物质：YAG (Y3Al5O12) 非线性光学晶体：KDP(KH2PO4)、BBO(β-BaB2O4)、LBO(LiB3O5)、CBO(CsB3O5)、LCB(La2CaB10O19) 闪烁晶体：BGO (Bi4Ge3O12)、PbWO3 磁性材料：R3Fe5O12、(Te,Dy)Fe2 半导体材料：Si、Ge、GaAs、GaN 超硬材料：金刚石、立方氮化硼 晶体生长方法：借助于各种技术或方法，由固体、液体或气体发生复相化学反应生长成为晶体。制备完整晶体的条件： (1)反应体系的温度要控制得均匀一致以防止局部过冷或过热，影

2018-03-12 约8.41千字 48页立即下载

晶体生长在金属冶炼中的应用.pptx 晶体生长在金属冶炼中的应用汇报人：可编辑2024-01-05BIGDATAEMPOWERSTOCREATEANEWERA 目录CONTENTS晶体生长基础知识金属冶炼的基本原理晶体生长在金属冶炼中的应用案例分析未来展望与研究方向 BIGDATAEMPOWERSTOCREATEANEWERA01晶体生长基础知识 晶体生长是指物质从液态、气态或非晶态转变为晶态的过程，是物质固态相变的重要方式之一。晶体生长通常遵循一定的物理和化学规律，如结晶学原理、热力学原理和动力学原理等。这些原理决定了晶体生长的形态、结构和性质。晶体生长的定义与原理晶体生长原理晶体生长定义 晶体生长分类晶体生长可以根据不同的分类

2025-05-18 约2.66千字 23页立即下载

晶体生长基础Lecture 2 晶体生长方法简介.ppt *PVT生长方法M-Lely法多晶SiC升华石墨坩埚2000～3000K20hPaArSiSiC2Si2C冷却籽晶*化学气相沉积（CVD）将金属的氢化物、卤化物或金属有机物蒸发成气相，输送至使其凝聚的较低温度带内通过化学反应，在一定的衬底上淀积，形成所需要的薄膜。*CVD系统*优点:可以较快速度获得大直径的单晶可采用“回熔”和“缩颈”工艺可观察到晶体生长情况，能有效控制晶体生长缺点:用坩埚作容器，导致不同程度的污染*液封提拉法(LEC)1962年梅茨等人首先发明使用透明、惰性的液体层浮于熔体表面起到密封作用的一种拉晶技术。1965年马林等人生长出GaAs、InAs等1968年巴斯等人生长出In

2025-03-02 约8.23千字 104页立即下载

冷却装置、晶体生长设备和晶体生长设备的控制方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114457409 A (43)申请公布日 2022.05.10 (21)申请号 202111650923.8 (22)申请日 2021.12.30 (71)申请人徐州鑫晶半导体科技有限公司地址

2023-05-05 约1.75万字 15页立即下载

一种晶体生长设备及晶体生长方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114457413 A (43)申请公布日 2022.05.10 (21)申请号 202111673957.9 (22)申请日 2021.12.31 (71)申请人上海翌波光电科技有限公司地址 2

2023-05-08 约1.17万字 13页立即下载

一种YCOB晶体生长用生长装置和生长方法.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112813493 A (43)申请公布日 2021.05.18 (21)申请号 202110154587.1 (22)申请日 2021.02.04 (71)申请人同济大学地址 20

2023-06-06 约1.04万字 8页立即下载