基于氮化镓二极管和高电子迁移率晶体管的集成双向开关.pdf

氮化镓高电子迁移率晶体管及其制造方法.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112993010 A (43)申请公布日 2021.06.18 (21)申请号 202010782423.9 (22)申请日 2020.08.06 (30)优先权数据 108146326

2023-06-09 约8.86千字 8页立即下载

高电子迁移率晶体管.ppt ***************6高电子迁移率晶体管（HEMT）本章内容*1.HEMT的基本结构和工作原理2.HEMT基本特性3.赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)4.HEMT应用领域6.1HEMT的基本结构和工作原理*HEMT的基本结构就是一个调制掺杂异质结，在图中示出了AlGaAs/GaAs异质结HEMT的结构；在宽禁带的AlGaAs层（控制层）中掺有施主杂质，在窄禁带的GaAs层（沟道层）中不掺杂（即为本征层）AlGaAs层通常称为控制层，它和金属栅极形成肖特基势垒结，和GaAs层形成异质结01HEMT的基本结构026.1HEMT的基本结构和工作原理*这里AlGaAs/GaAs就是一个调

2025-03-20 约1.68千字 16页立即下载

T CASAS 005—2022 用于硬开关电路的氮化镓高电子迁移率晶体管动态导通电阻测试方法.pdf ICS31.080 L40/49 团体标准 T/CASAS005—2022 用于硬开关电路的氮化镓高电子迁移率晶体管动态导通电阻测试方法 Dynamicon-resistancetestmethodforGaNhighelectronmobility transistor(HEMT)inhard-switchingcircuits 版本：V01.00 2022-09-16发布2022-09-16实施第三代半导体产业技术创新战略联盟发布目次前言III 引言IV 1范围1 2规范性引用文件1 3术语和定义1 4原理2 5测试条件3 6测试装置3 7测试程序4 7.1测试方法4 7.2测试流

2025-02-23 约1.19万字 13页立即下载

T∕CASAS 005-2022 用于硬开关电路的氮化镓高电子迁移率晶体管动态导通电阻测试方法.pdf JCS31080 L40/49;;ASA 摆扭扭!.t= ..‘“‘... 团体标准 T/CASAS005-2022 用于硬开关电路的氮化稼高电子迁移率晶体管动态导通电阻测试方法 Dynamicon-resistancetestmethodforGaNhigheIectronmobiIity transistor(HEMT)inhard-switchingcircuits 版本：V01.00 2022-09-16发布2022-09-16实施第三代半导体产业技术创新战略联盟发布 T/CASAS005-2022 目次前言·············…………....…………..……………··．．

2024-08-05 约1.27万字 13页立即下载

一种高电子迁移率晶体管.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112820773 A (43)申请公布日 2021.05.18 (21)申请号 2

2023-06-03 约1.6万字 12页立即下载

微电子器件（5-3）高电子迁移率晶体管(HEMT) .pptx 5.3高电子迁移率晶体管(HEMT);1、在GaAs衬底上采用MBE（分子束外延）等技术连续生长出高纯度的GaAs层和n型AlGaAs层； 2、然后进行台面腐蚀以隔离有源区； ;一般该隔离层厚度取为7~10nm。既能保证高的2-DEG的面密度，又可降低杂质中心的Coulomb散射;5.3.2HEMT的工作原理 ;栅电压可以控制三角型势阱的深度和宽度，从而可以改变2-DEG的浓度，以达到控制HEMT电流的目的。属于耗尽型工作模式。;如果AlGaAs/GaAs异质结中存在缓变层，缓变层厚度WGR的增大将使2-DEG的势阱增宽，使势阱中电子的子能带降低，从而确定的Fermi能级下，2-DEG的浓度增

2025-05-06 约1.23千字 27页立即下载

基于高电子迁移率晶体管结构的太赫兹探测器的开题报告.docx 基于高电子迁移率晶体管结构的太赫兹探测器的开题报告一、研究背景太赫兹（THz）波是介于微波和红外线之间的电磁波，频率范围为0.1~10THz，具有很好的物理特性，如穿透力强、非电离性、对水汽和某些物质透明等。因此，太赫兹技术在无损检测、成像、通信等领域具有广泛的应用前景。为了实现太赫兹波的探测和检测，需要研制高灵敏度、高分辨率和高速度的太赫兹探测器。目前已有多种太赫兹探测技术，如红外探测器、波导探测器、太赫兹成像器等。其中，基于高电子迁移率晶体管（HEMT）结构的太赫兹探测器由于具有快速响应、高灵敏度、低功率消耗等优点，已成为研究的热点之一。二、研究目的本研究旨在探究基于HEMT结构

2024-01-18 约1.08千字 2页立即下载

TCACAS035-用于第三象限续流的氮化镓高电子迁移率晶体管动态导通电阻测试方法.pdf ICSXXX XXX 团体标准 T/CASAS035—202X 用于第三象限续流的氮化镓高电子迁移率 晶体管动态导通电阻测试方法 Dynamicon-resistancetestmethodforGaNhighelectronmobility transistor(HEMT)inthirdquadrantconductionmode 版本：征求意见稿在提交反馈意见时，请将您知道的相关专利连同支持性文件一并附上 XXXX-XX-XX发布XXXX-XX-XX实施第三代半导体产业技术创新战略联盟发布 T/CASAS035—202X（征求意见稿）目次前言III 引言IV 1范围1 2规范性引用

2025-03-27 约2.17万字 14页立即下载

T_CASAS 035—2024(用于第三象限续流的氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT)动态导通电阻测试方法).pdf ICS31.080 CCSL40/49 团体标准 T/CASAS035—2024 台平息用于第三象限续流的氮化镓高电子迁移率 信 晶体管(HEMT)动态导通电阻测试方法准 Dynamicon-resistancetestmethodforGaNhighelectronmobility transistor(HEMT)inthirdquadrantconductionmode 标体团国全 2024-09-30发布2024-09-30实施第三代半导体产业技术创新战略联盟发布 T/CASAS035—2024 目次前言III 台引言IV 1范围1 2规范性引用文件1 平 3术语和

2025-03-18 约2.69万字 15页立即下载

T_CASAS 034—2024(用于零电压软开通电路的氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT)动态导通电阻测试方法).pdf ICS31.080 CCSL40/49 团体标准 T/CASAS034—2024 台平息用于零电压软开通电路的氮化镓高电子迁信移率晶体管(HEMT)动态导通电阻测试方法准 Dynamicon-resistancetestmethodforGaNhighelectronmobility transistor(HEMT)inzero-voltage-switching-oncircuits 标体团国全 2024-09-30发布2024-09-30实施第三代半导体产业技术创新战略联盟发布 T/CASAS034—2024 目次前言III 台引言IV 1范围1 2规范性引用文件

2025-03-18 约2.12万字 13页立即下载

T CASAS 035—2024 用于第三象限续流的氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT)动态导通电阻测试方法.pdf ICS31.080 CCSL40/49 团体标准 T/CASAS035—2024 用于第三象限续流的氮化镓高电子迁移率 晶体管(HEMT)动态导通电阻测试方法 Dynamicon-resistancetestmethodforGaNhighelectronmobility transistor(HEMT)inthirdquadrantconductionmode 2024-09-30发布2024-09-30实施第三代半导体产业技术创新战略联盟发布目次前言III 引言IV 1范围1 2规范性引用文件1 3术语和定义1 4第三象限续流电路动态导通电阻测试原理2 5测试条件4 6测试装置4 7

2024-12-27 约2.14万字 15页立即下载

T_CASAS 035-2024 用于第三象限续流的氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT)动态导通电阻测试方法.docx 第三代半导体产业技术创新战略联盟发布 ICS31.080CCSL40/49 团体标准 T/CASAS035—2024 用于第三象限续流的氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT)动态导通电阻测试方法 Dynamicon-resistancetestmethodforGaNhighelectronmobilitytransistor(HEMT)inthirdquadrantconductionmode 2024-09-30发布2024-09-30实施 T/CASAS035—2024 I 目次前言 III 引言 IV 1范围 1 2规范性引用文件 1 3术语和定义 1 4第三象限续流电路动态导通电阻测

2025-03-13 约1.4万字 26页立即下载

高电子迁移率晶体管的线性度分析论文.docx 高电子迁移率晶体管的线性度分析论文摘要：随着电子科技的飞速发展，高电子迁移率晶体管（HEMT）在电子器件领域得到了广泛应用。本文旨在对HEMT的线性度进行分析，以期为相关领域的研发提供理论依据。通过对HEMT的结构、工作原理及线性度的影响因素进行深入研究，揭示HEMT的线性度规律，为实际应用提供指导。关键词：高电子迁移率晶体管；线性度；结构；工作原理；影响因素一、引言（一）1.内容：HEMT概述（1）HEMT的定义与特点 高电子迁移率晶体管（HighElectronMobilityTransistor，HEMT）是一种基于II-VI族化合物半导体材料的新型晶体管，具有优异的电

2025-03-28 约3.16千字 8页立即下载

AlGaN-GaN高电子迁移率晶体管的特性研究.docx AlGaN-GaN高电子迁移率晶体管的特性研究 AlGaN-GaN高电子迁移率晶体管的特性研究一、引言随着现代电子技术的快速发展，半导体器件在高性能电子系统中的应用越来越广泛。其中，AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）因其出色的电性能和稳定性，在功率放大器、高频高速电路等领域得到了广泛的应用。本文旨在深入研究AlGaN/GaNHEMT的特性和性能，以期为相关应用提供理论支持和指导。二、AlGaN/GaNHEMT的基本结构与工作原理 AlGaN/GaNHEMT是一种基于III族氮化物的功率半导体器件，其基本结构由氮化镓（GaN）和铝镓氮（AlGaN）层构成，通过异质结的形式形成二

2025-03-05 约4.4千字 8页立即下载

高电子迁移率晶体管中的DX中心研究.pdf 论文摘要许多化合物半导体在进行施主掺杂时都会出现 DX 中心,由于 DX 中心对器 [1-10] 件的能带结构、输运性质都有着比较重要的影响,一直受到人们的普遍关注。其中,由于对高电子迁移率晶体管等物理器件性能的影响比较大,Si 掺杂的 [11-14] Al Ga As合金中的DX中心一直是理论研究和实验研究关注的重点之一。本 x 1-x [15] 文基于极化子和双极化子的物理机制 ,采用无拟合参数的巨正则统计方法计算了 Si 掺杂的 Al Ga As 的导带载流子浓度,计算得到理论结果从高温到低温 x 1-x - 都同实验结果定量一致。计算证实了 AlGa As:S

2018-03-24 约1.8万字 54页立即下载