碳化硅单晶快速扩径生长系统.pdf

sic碳化硅单晶的生长原理 .pdf sic碳化硅单晶的生长原理 碳化硅单晶的生长原理可以简单地描述如下： 1.利用高纯度的碳化硅原料，通常采用SiC原料坩埚进行加热融化处理。 2.在加热过程中，通过控制温度梯度和化学气相传输，使得融化的碳化硅原料中存在过饱和度。 3.过饱和度使得碳化硅原料在合适的条件下开始形成凝固核心。这些凝固核心作为生长种子，可以是碳化硅晶体的微小颗粒。 4.通过降低温度和控制化学气相传输使得凝固核心周围的融化材料逐渐结晶生长，并形成碳化硅单晶。 5.在生长过程中，还需要控制温度、气压和气氛等参数，以确保单晶的质量和外观。总的来说，碳化硅单晶的生长原理是通过过饱和度和适当的条件来控制碳化硅晶体凝

2024-12-08 约小于1千字 1页立即下载

碳化硅单晶生长用等静压石墨.pdf ICS31.030 CCSQ50/59 团体标准 T/CASAS048—202X（征求意见稿） 碳化硅单晶生长用等静压石墨 Iso-staticgraphiteforsiliconcarbidesinglecrystals （征求意见稿）在提交反馈意见时，请将您知道的相关专利连同支持性文件一并附上。 XXXX-XX-XX发布XXXX-XX-XX实施第三代半导体产业技术创新战略联盟发布 T/CASAS048—202X（征求意见稿）目次前言II 引言III 1范围1 2规范性引用文件1 3术语和定义1 4技术要求2 外观2 性能2 纯度要求及杂质元素含量2 5试验方法2 体积密度2 电阻率

2024-08-03 约1.26万字 8页立即下载

一种碳化硅单晶生长装置.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 214115777 U (45)授权公告日 2021.09.03 (21)申请号 202023339628.4 (22)申请日 2020.12.30 (73)专利权人湖南三安半导体有限责任公司

2023-04-04 约9.68千字 11页立即下载

一种碳化硅单晶生长装置及其生长方法.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112831841 A (43)申请公布日 2021.05.25 (21)申请号 202011633769.9 (22)申请日 2020.12.31 (71)申请人湖南三安半导体有限责任公司

2023-06-05 约1.01万字 10页立即下载

碳化硅外延生长管路系统.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114855279 A (43)申请公布日 2022.08.05 (21)申请号 202210667129.2 (22)申请日 2022.06.14 (71)申请人东莞市天域半导体科技有限公司地址

2023-05-16 约2万字 18页立即下载

一种碳化硅单晶的液相生长装置及液相生长方法.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112921399 A (43)申请公布日 2021.06.08 (21)申请号 202110075714.9 (22)申请日 2021.01.20 (71)申请人中电化合物半导体有限公司

2023-06-06 约1.29万字 12页立即下载

具有生长气氛中碳硅比例调节功能的碳化硅单晶生长设备.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113337893 B (45)授权公告日 2022.08.02 (21)申请号 202110608165.7 CN 112126975 A,2020.12.25 (22)申请日 20

2023-06-18 约9.51千字 10页立即下载

碳化硅单晶衬底和其制造方法 .pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利说明书 (10)申请公布号CN105358744A (43)申请公布日2016.02.24 (21)申请号CN201480037439.X (22)申请日2014.05.14 (71)申请人住友电气工业株式会社地址日本大阪府大阪市 (72)发明人堀勉川濑智博佐佐木信 (74)专利代理机构中原信达知识产权代理有限责任公司代理人李兰 (51)Int.CI C30B29/36 权利要求说明书说明书幅图 (54)发明名称 碳化硅单晶衬底和其制造方法 (57)摘要在本发明中，制造碳化硅单晶衬底 (10)的方法包括以下步骤。制备具有主表面(2a

2024-12-09 约2.75万字 26页立即下载

碳化硅单晶的缺陷研究 .pdf 碳化硅单晶的缺陷研究 碳化硅单晶是一种具有广泛应用前景的材料，其在电子器件、光电器件以及高温结构材料等领域均有重要作用。然而，碳化硅单晶中存在着各种缺陷，这些缺陷对其性能和应用产生了重要影响。因此，研究碳化硅单晶的缺陷成为了当前的热点课题之一。 碳化硅单晶的晶格缺陷是其中的一种重要缺陷。晶格缺陷是指在晶体结构中原子位置的偏离或缺失。碳化硅单晶中常见的晶格缺陷包括点缺陷、线缺陷和面缺陷。点缺陷是晶格中一个或多个原子位置的偏离或缺失，例如空位缺陷和杂质原子。线缺陷则是晶格中一条或多条原子排列的偏离或缺失，例如位错和螺旋度。面缺陷是晶格中一个或多个平面的偏离或缺失，例如晶界和孪晶。

2024-12-16 约1.04千字 2页立即下载

一种制备碳化硅单晶的方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113005518 B (45)授权公告日 2022.07.15 (21)申请号 202110200678.4 C30B 23/06 (2006.01) (22)申请日 2021.02

2023-06-10 约9.29千字 8页立即下载

碳化硅单晶 编制说明.docx 1 《碳化硅单晶》编制说明（征求意见稿）一、工作简况 1.立项目的和意义随着半导体碳化硅产业的高速发展，全球碳化硅产业链进一步分工细化是必然的趋势。随着碳化硅单晶生产效率的提升，生产成本的降低，碳化硅材料正逐步取代硅材料成为功率半导体材料的另一主流材料，打破硅器件由于材料本身性能而产生的瓶颈，碳化硅单晶材料将会给电子信息产业带来革命性的变化。这几年，由于碳化硅器件的优良特性，新能源汽车车厂陆续开始导入SiC电力电子器件，这对碳化硅单晶需求量是巨大的。根据法国Yole公司市场调研报告显示，2025年碳化硅电力电子器件市场规模将达到25亿美元。许多国际器件大厂，纷纷收购碳化硅单晶厂，以保障自

2025-04-13 约8.45千字 19页立即下载

化工科学-碳化硅单晶.pdf ICS29.045 CCSH83 中华人民共和国国家标准 GB/TXXXX—XXXX 碳化硅单晶 Monocrystallinesiliconcarbide （征求意见稿）（在提交反馈意见时，请将您知道的相关专利连同支持性文件一并附上） XXXX-XX-XX发布XXXX-XX-XX实施前言本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员

2025-04-12 约7.3千字 9页立即下载

8英寸碳化硅单晶pvt法.pptx 8英寸碳化硅单晶pvt法;目录;01;碳化硅单晶概述;碳化硅单晶的应用领域;碳化硅单晶的发展历史;02;PVT法原理;PVT法在碳化硅单晶生长中的应用;PVT法的关键技术;03;设备组成;设备工作原理;设备性能指标;04;工艺流程概述;关键工艺步骤;工艺控制要点;05;生长过程概述;生长速率控制;生长质量分析;06;质量标准;质量检测方法;质量问题分析及解决;07;设备成本;材料成本;人工成本;08;市场前景;技术发展趋势;挑战与机遇;THANKS

2025-04-22 约小于1千字 35页立即下载

碳化硅单晶的缺陷研究.pdf 摘要摘要本论文对物理气相传输法P(VT)法制备的碳化硅s(ci)单晶的主要缺陷进行了系统研究，旨在认识siC单晶中各种缺陷的形成、发展、分布规律以及它们之间的相互作用等降低siC单晶质量的关键问题。同时，通过对siC单品进行退火处理，开辟了一种能够有效降低siC单晶中关键缺陷密度并提高siC单晶质量的新途径。主要研究结果如下: 第一，使用多种手段对SIC单晶中的微管、异质包裹物、多晶型界面、平面六方空洞、位

2017-09-14 约3.63万字 104页立即下载

GBT-碳化硅单晶及编制说明.pdf ICS29.045 CCSH83 中华人民共和国国家标准 GB/TXXXX—XXXX 碳化硅单晶 Monocrystallinesiliconcarbide （征求意见稿）（在提交反馈意见时，请将您知道的相关专利连同支持性文件一并附上） XXXX-XX-XX发布XXXX-XX-XX实施前言本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员

2025-04-09 约2.05万字 19页立即下载