GBT-碳化硅单晶及编制说明.pdf

ICS29.045

CCSH83

中华人民共和国国家标准

GB/TXXXX—XXXX

碳化硅单晶

Monocrystallinesiliconcarbide

（征求意见稿）

（在提交反馈意见时，请将您知道的相关专利连同支持性文件一并附上）

XXXX-XX-XX发布XXXX-XX-XX实施

前  言

本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定

起草。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。

本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）与全国半导体设备和材料标准

化技术委员会材料分技术委员会（SAC/TC203/SC2）共同提出并归口。

本文件起草单位：北京天科合达半导体股份有限公司等

本文件主要起草人：

I

碳化硅单晶

1范围

本文件规定了4H及6H碳化硅单晶的牌号及分类、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、

运输、贮存和随行文件。

本文件适用于直径不大于300mm的4H及6H碳化硅单晶。产品主要用于制作碳化硅电力电子器件、

射频微波器件及LED发光器件外延材料用碳化硅单晶。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，

仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本

文件。

GB/T1555半导体单晶晶向测定方法

GB/T6616半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法非接触涡流法

GB/T6624硅抛光片表面质量目测检验方法

GB/T13388硅片参考面结晶学取向X射线测试方法

GB/T14264半导体材料术语

GB/T26067硅片切口尺寸测试方法

GB/T30656碳化硅单晶抛光片

GB/T30866碳化硅单晶片直径测试方法

GB/T31351碳化硅单晶抛光片微管密度无损检测方法

GBT41765碳化硅单晶位错密度的测试方法

GB/T42271半绝缘碳化硅单晶的电阻率非接触测试方法

GBT43612碳化硅晶体材料缺陷图谱

SJ/T11501碳化硅单晶晶型的测试方法

3术语和定义

GB/T14264和GB/T43612界定的术语和定义适用于本文件。

4牌号及分类

4.1牌号

碳化硅单晶的牌号应符合附录A的规定。

4.2分类

4.2.1碳化硅单晶按直径分为50.8mm、76.2mm、100.0mm、150.0mm、200.0mm、300.0mm。非

标准直径要求由供需双方协商确定。

4.2.2碳化硅单晶按导电能力分为导电型和半绝缘型。

4.2.3碳化硅单晶按产品质量，分为工业级（简称P级）和试片级（简称D级）。

2

5技术要求

5.1直径及允许误差

5.1.1碳化硅单晶中的直径均指滚圆加工后的碳化硅晶体标称直径及允许偏差。

5.1.2碳化硅单晶的直径及其允许偏差应符合表1的规定。超出表1中所列的直径及允许偏差由供需

双方协商确定。

5.1.3未滚圆碳化硅单晶的直径和允许偏差由供需双方协商确定。

表1碳化硅单晶几何参数

直径

50.876.2100.0150.0200.0300.0

mm

允许偏差

±0.2±0