碳化硅单晶生长用等静压石墨.pdf

ICS31.030

CCSQ50/59

团体标准

T/CASAS048—202X（征求意见稿）

碳化硅单晶生长用等静压石墨

Iso-staticgraphiteforsiliconcarbidesinglecrystals

（征求意见稿）

在提交反馈意见时，请将您知道的相关专利连同支持性文件一并附上。

XXXX-XX-XX发布XXXX-XX-XX实施

第三代半导体产业技术创新战略联盟发布

T/CASAS048—202X（征求意见稿）

目次

前言II

引言III

1范围1

2规范性引用文件1

3术语和定义1

4技术要求2

外观2

性能2

纯度要求及杂质元素含量2

5试验方法2

体积密度2

电阻率2

抗折强度3

耐压强度3

抗拉强度3

热膨胀系数3

热导率3

肖氏硬度3

各向同性度3

纯度及元素杂质含量3

动态弹性模量3

石墨化度3

6检验规则3

组批3

抽样3

取样3

制样3

出厂检验4

结果判定4

型式检验4

7标识、包装、运输和储存4

包装、标志、储存和运输4

贮存条件4

附录A（资料性）杂质元素总含量覆盖范围5

参考文献6

I

T/CASAS048—202X（征求意见稿）

碳化硅晶体生长用等静压石墨

1范围

本文件描述了碳化硅单晶生长用等静压石墨的技术要求、试验方法、检验规则、标识、包装、运输

和贮存等。

本文件适用于纯度要求达到5N5（质量分数99.9995%）以上的碳化硅单晶生长用或碳化硅粉体合

成用等静压石墨，包括碳化硅单晶生长用加热器、坩埚、籽晶托等内部构件，以及碳化硅粉体合成用加

热器、坩埚等石墨热场部件。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，

仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本

文件。

GB/T1427炭素材料取样方法

GB/T1431炭素材料耐压强度测定方法

GB/T3074.1炭素材料抗折强度测定方法

GB/T3704.2石墨电极弹性模量测试方法

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