常见IGBT 模块失效情况的分类 - 嘉兴斯达半导体股份有限公司.PDF

嘉兴斯达半导体有限公司 STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD. 2010—05—20 常见 IGBT 模块失效情况的分类 陈浩 IGBT 模块因应电力电子技术的迅速发展目前已经得到广泛应用， 但部分模块在实际应用中也不可避免的出现了失效现象。本文简要的对 模块失效的成因进行分类，主要涉及模块过温、过电压、机械损伤、器 件问题造成 IGBT模块的失效。 模块和散热器之间安装不够紧密。 散热器表面平整度差。 导热硅脂不足、过量或则不均匀。 散热性不佳 ④风扇老化导致转速减小或者停转。 ⑤散热器体积过小 ⑥环境温度过高。 过温 驱动电压不足，导致饱和压降增加。 模块开关频率过大 门极驱动电阻过大，导致开关损耗 功耗过大 增加。 ④过电流（过载等） Ⅰ.死区时间不足 ⑤短路 Ⅱ.驱动信号误动作 1 Application Note AN9004 V0.0 嘉兴斯达半导体有限公司 STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD. ①模块的余量不足，导致电源电压 超过模块的最大承受电压。 ②制动单元设计无法匹配或失效， 总线直流电压出现异常攀升。 集电极过电压 ③母线寄生电感过大 ④控制信号异常 ⑤开通速度过快 过电压 ⑥雷电浪涌 门极驱动供电异常 门极回路异常 雷电浪涌电压 门极过电压 ④门极电压发生振荡