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一种具有纳米结构的半导体薄膜材料及其制备方法.pdf

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(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113403598 B (45)授权公告日 2022.08.05 (21)申请号 202110678291.X C23C 14/58 (2006.01)

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