MOS场效应晶体管基础复习课程.ppt

3.1 双端MOS结构;M;- V +;2、 耗尽区宽度;金属 氧化物 p型半导体;3、 栅压;4、 平带电压;5、 阈值电压;5、 阈值电压;5、 阈值电压;6、 电荷分布;7、 MOS电容模型;8、理想 C-V特性;8、理想 C-V特性;9、非理想效应;9、非理想效应;3.2 MOS场效应晶体管;1、MOSFET的结构及工作原理;1、MOSFET的结构及工作原理;1、MOSFET的结构及工作原理;2、电流-电压关系（定性） （小的漏源电压作用）;2、电流-电压关系（定性）;3、电流-电压关系（定量）;3、电流-电压关系（定量）;3、电流-电压关系（定量）;3、电流-电压关系（定量）;3、电流-电压关系（定量）;3、电流-电压关系（定量）;3、电流-电压关系（定量）;3、电流-电压关系（定量）;3、电流-电压关系（定量）;4、小信号等效电路;4、小信号等效电路;5、频率限制因素与截止频率;6、CMOS技术