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第五章 MOS 场效应晶体管
§ 5.1 MOS 场效应晶体管的结构和工作原理
1.基本结构
上一章我们简单提到了金属—半导体场效应晶体管(即 MESFET),它的工作原理 和 JEFET 的工作原理有许多类似之处。如果在金属-半导体结之间加一层氧化物绝缘层 (如
SiO2 )就可以形成另一种场效应晶体管,即金属一氧化物一半导体场效应晶体管 (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transisto,缩写 MOSFET) ,如图所示 (P172) 。
MOS 管主要是利用半导体表面效应而制成的晶体管,参与工作的只有一种载流子 (即多 数
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