场效应晶体管及制造场效应晶体管的方法.pdf

氮化镓基异质结场效应晶体管及其制造方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114551584 A (43)申请公布日 2022.05.27 (21)申请号 202210424332.7 H01L 21/336 (2006.01)

2023-05-06 约1.16万字 11页立即下载

鳍式场效应晶体管器件和方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114883255 A (43)申请公布日 2022.08.09 (21)申请号 202110775708.4 (22)申请日 2021.07.08 (30)优先权数据 63/168,047 2021

2023-05-15 约3.79万字 55页立即下载

2019-05-06 约小于1千字 23页立即下载

垂直场效应晶体管及用于构造垂直场效应晶体管的方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114830350 A (43)申请公布日 2022.07.29 (21)申请号 202080084603.8 (74)专利代理机构永新专利商标代理有限公司

2023-05-13 约1.43万字 16页立即下载

包括鳍型场效应晶体管的半导体器件及其制造方法.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利说明书 (10)申请公布号CN110299358A (43)申请公布日2019.10.01 (21)申请号CN201910068503.5 (22)申请日2019.01.24 (71)申请人三星电子株式会社地址韩国京畿道 (72)发明人郑秀珍柳廷昊柳宗烈曹荣大 (74)专利代理机构北京市柳沈律师事务所代理人屈玉华 (51)Int.CI 权利要求说明书说明书幅图 (54)发明名称包括鳍型场效应晶体管的半导体器件及其制造方法 (57)摘要一种半导体器件和制造半导体器件 的方法，该器件包括：从衬底突出的有源图案；多个栅极结构，每个栅极

2024-12-06 约3.12万字 50页立即下载

具有结栅极场效应晶体管的基于锗的传感器及其制造方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114883351 A (43)申请公布日 2022.08.09 (21)申请号 202210254472.4 (22)申请日 2022.03.15 (30)优先权数据 63/161,687 2021

2023-05-18 约4.48万字 46页立即下载

场效应晶体管的p型和n型结构.pdf 场效应晶体管的p型和n型结构 P型和N型场效应晶体管的结构和工作原理 场效应晶体管（FieldEffectTransistor，简称FET）是一种利用电场效应来控制沟道电阻和电流的半导体器件，属于电压控制型器件，具有输入电阻高、噪声低、功耗低、动态范围大、易于集成等优点。场效应晶体管根据沟道的载流子类型和栅极的结构，可以分为P型和N型两种，本文将介绍它们的结构和工作原理，主要包括以下几个方面： -P型和N型场效应晶体管的结构特点； -P型和N型场效应晶体管的工作模式和状态； -P型和N型场效应晶体管的输出特性和转移特性； -P型和N型场效应晶体管的应用领域和优缺点。一、P型和N型场

2024-12-05 约2.03千字 3页立即下载

2019-05-06 约3.66千字 82页立即下载

《场效应晶体管》课件.ppt 场效应晶体管欢迎学习场效应晶体管课程！场效应晶体管是现代电子技术的重要组成部分，它利用电场效应控制电流，是现代集成电路的核心元件。本课件将系统介绍场效应晶体管的基本概念、类型、特性及应用，帮助您深入理解这一关键电子器件的工作原理及其在现代电子技术中的重要地位。课程目标1掌握基本概念理解场效应晶体管的基本工作原理，掌握电场控制电流的核心机制，区分场效应晶体管与双极型晶体管的本质区别。2熟悉主要类型系统学习结型场效应晶体管(JFET)和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的结构特点、工作原理及应用范围。3理解电路应用掌握场效应晶体管在放大电路、开关电路、集成电路中的应用原理，能够分析和设

2025-03-25 约1.9万字 10页立即下载

场效应晶体管原理.pdf 场效应晶体管原理嘿，朋友们！今天咱来聊聊场效应晶体管原理，这玩意儿可有意思啦！你看啊，场效应晶体管就像是一个特别会控制水流的小闸门。电流就好比水流，而这个小闸门能决定让多少水流过去。它有三个极，源极、漏极和栅极。源极呢，就像是水的源头，漏极就是水流出去的地方，那栅极可就厉害了，它就像是控制闸门开关的把手。当栅极上没有电压的时候，就好像把手没动，闸门关得紧紧的，电流不容易通过，这就是截止状态。可要是在栅极上加了合适的电压呢，嘿，那就像把手轻轻一转，闸门打开了，电流就能欢快地流过去了，这就是导通状态。这和我们生活中的很多事情也挺像的呀！比如说，你家里的水龙头，你不拧开它，水就

2024-12-04 约小于1千字 2页立即下载

《场效应晶体管》课件.ppt 场效应晶体管：电子世界的微小英雄;什么是场效应晶体管（FET）？;FET的基本工作原理简介;FET在电子技术中的重要地位;场效应晶体管的历史发展;早期半导体技术的挑战;场效应晶体管的突破性意义;FET的基本结构解析;源极、漏极和栅极的功能;沟道导电机制详解;N沟道和P沟道FET的区别;场效应晶体管的分类;结型场效应晶体管（JFET）;绝缘栅场效应晶体管（IGFET）;金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）;MOSFET的工作模式;增强型MOSFET;耗尽型MOSFET;栅极电压与导电性的关系;FET的电学特性曲线;转移特性曲线详解;输出特性曲线分析;场效应晶体管的关键参数;跨导（gm）的

2025-03-06 约小于1千字 59页立即下载

场效应晶体管(FET).pdf 第四节场效应晶体管（FET）晶体三极管是电流控制型器件，当它工作在放大状态时，必须给基极注入一定的基极电流，放大信号时，需从输入信号源中吸取信号源电流，所以晶体管的输入阻抗低。 场效应晶体管(FET)是一种电压控制型器件，它利用输入电压在半导体内产生的电场效应来控制输出电流的大小。场效应管的输入端几乎不吸取信号源电流，有极高的输入电 815Ω。场效应管还具有噪声低，受温度、辐射影响小，制造工艺简阻，一般可达10～10 单，便于大规模集成等优点，因此得到广泛应用。 场效应管根据结构不同可分为结型场效应管(JFET)和绝缘栅型场效应管(IGFET)两大类，每一类又有N沟道和P沟道之分。

2024-12-03 约1.77万字 7页立即下载

结型场效应晶体管.ppt ***先看看非饱和区直流电流、电压方程：*281非饱和区I-V方程：返回跨导要求解沟道电流，先判断此时沟道电流的类型？沟道电流01其中02所以沟道电流03而栅结是单边突变结：04所以沟道电流05又因为所以对上式在整个沟道进行积分可得：0601而栅结是单边突变结：02所以可以得到03非饱和区I-V方程：再看看饱和区直流电流、电压方程：饱和区沟道被夹断，前面非饱和区方程已经不适用了，那么如何求饱和区的电流电压方程呢？*282饱和区I-V方程：下页返回跨导饱和区I-V方程：下页最大饱和漏极电流back本征夹断电压－－漏源电压为零时2）JFET的直流参数a夹断电压VP：b最大饱和漏极电流c最小沟道电阻

2025-02-21 约4.39千字 10页立即下载

单极型场效应晶体管.pdf 第十章单极型场效应晶体管 §10.1半导体场效应晶体管 单极（unipolar）型器件即场效应晶体管是三端器件的另一种形式，它象双极型晶体管那样具有功率增益和电子开关功能，但是其工作原理却完全不同。单极型场效应晶体管应用广泛，尤其是在数字集成电路、电子存贮器以及放大电路中。本章目的是讨论这种器件的工作原理，并将其与双极型晶体管作比较。首先，我们将介绍结型场效应晶体管（JFET）的工作原理，在这种器件中，在p-n结上施加输入电压，使空间电荷区加宽，以限制器件沟道中的电流流动。JFET的另一种形式称作金属半导体场效应晶体管（MESFET），用 Schottky二极管代替p-n结作为输入电极

2024-12-06 约6.52万字 25页立即下载

lecture26mos场效应晶体管.pptx Outline;MOSFET结构示意图;;以源极作为电压的参考点。当漏极加上正电压VD，而栅极未加电压时，从源极到漏极相当于两个背靠背的PN结。从源到漏的电流只不过是反向漏电流。当栅极加上足够大的正电压VG时，中间的MOS结构发生反型，在两个N+区之间的P型半导体形成一个表面反型层（即导电沟道）。于是源和漏之间被能通过大电流的N型表面沟道连接在一起。这个沟道的电导可以用改变栅电压来调制。背面接触(称为下栅)，可以接参考电压或负电压，这个电压也会影响沟道电导。;线性区：沟道作用相当于一个电阻;反型层宽度减小到零，沟道夹断;导电沟道两端电压不变，忽略沟道长度调制效应电流保持不变，进入饱和工作状态;

2020-02-20 约1.03千字 25页立即下载