文档详情

鳍式场效应晶体管器件和方法.pdf

发布：2023-05-15约3.79万字共55页下载文档

文本预览下载声明

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114883255 A (43)申请公布日 2022.08.09 (21)申请号 202110775708.4 (22)申请日 2021.07.08 (30)优先权数据 63/168,047 2021

显示全部

相似文档

鳍式场效应晶体管器件及其形成方法.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113380628 A (43)申请公布日 2021.09.10 (21)申请号 202110101700.X H01L 29/78 (2006.01)
2023-06-20 约3.02万字 45页立即下载
垂直场效应晶体管器件和形成其的方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114823510 A (43)申请公布日 2022.07.29 (21)申请号 202210048783.5 (22)申请日 2022.01.17 (30)优先权数据 63/138,598 2021
2023-05-15 约3.42万字 28页立即下载
场效应晶体管及制造场效应晶体管的方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114823869 A (43)申请公布日 2022.07.29 (21)申请号 202210105962.8 H01L 21/28 (2006.01) (22)申请日 2022.01.
2023-05-17 约2.39万字 28页立即下载
电子器件场效应晶体管.ppt 0102Effectsofrealsurfacesalkalimetalions碱金属离子sodium(Na+)ion钠离子mobilecharge可动电荷trappedcharge陷阱电荷interfacecharge界面电荷fixedcharge固定电荷effectivepositivecharge有效正电荷heavilydopedpoly-silicon重掺杂多晶硅 MOSStructurePoly-silicon-OSStructureIdealMOScapacitanceRealSurfaceEffects:WorkfunctiondifferenceinterfacechargeN
2025-03-05 约2.61千字 10页立即下载
场效应晶体管.ppt 4.1 JFET;11.2.1 数字投音器;学习重点;引入－ JFET的工作特点;引入－ JFET的工作特点;一、JFET结构－N沟道;一、JFET结构－P沟道;导电沟道事先已存在;导电沟道事先已存在; 能够控制导电沟道;二、工作原理－控制沟道;二、工作原理－控制沟道;二、工作原理－控制沟道;二、工作原理－控制沟道; 能够控制导电沟道;二、工作原理－控制电流iD;二、工作原理－控制电流iD;二、工作原理－控制电流iD;二、工作原理－控制电流iD;三、特性曲线－转移特性;三、特性曲线－输出特性;三、特性曲线－输出特性;四、JFET主要参数
2019-05-06 约小于1千字 23页立即下载
场效应晶体管器件及改善其短沟道效应和输出特性的方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114823860 A (43)申请公布日 2022.07.29 (21)申请号 202110110414.X (22)申请日 2021.01.27 (71)申请人苏州大学地址 215000 江
2023-05-16 约2.55万字 26页立即下载
包括鳍型场效应晶体管的半导体器件及其制造方法.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利说明书 (10)申请公布号CN110299358A (43)申请公布日2019.10.01 (21)申请号CN201910068503.5 (22)申请日2019.01.24 (71)申请人三星电子株式会社地址韩国京畿道 (72)发明人郑秀珍柳廷昊柳宗烈曹荣大 (74)专利代理机构北京市柳沈律师事务所代理人屈玉华 (51)Int.CI 权利要求说明书说明书幅图 (54)发明名称包括鳍型场效应晶体管的半导体器件及其制造方法 (57)摘要一种半导体器件和制造半导体器件的方法，该器件包括：从衬底突出的有源图案；多个栅极结构，每个栅极
2024-12-06 约3.12万字 50页立即下载
单栅场效应晶体管器件及调控其驱动电流的方法.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113363323 A (43)申请公布日 2021.09.07 (21)申请号 20201
2023-06-18 约2万字 22页立即下载
垂直场效应晶体管及用于构造垂直场效应晶体管的方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114830350 A (43)申请公布日 2022.07.29 (21)申请号 202080084603.8 (74)专利代理机构永新专利商标代理有限公司
2023-05-13 约1.43万字 16页立即下载
场效应晶体管JFET与MESFET器件基础.ppt 2.5 JFET与MESFET器件基础 2.5.1 器件结与电流控制原理 1 结型场效应晶体管的结构用掺杂在n型衬底上构成p+区，从而形成一个pn结。上下两个P型区联在一起,称为栅极(G: grid)。 pn结下方有一条狭窄的N型区域称为沟道(channel)，其厚度为d，长度为L，宽度为W。沟道两端的欧姆接触分别称为漏极(D, drain)和源极(S, source)。这种结构又称为N沟JFET。 2 JFET中沟道电流的特点在漏（D）极和源（S）极之间加一个电压VDS,就有电流IS流过沟道. 如果在栅（G）和源（S）极之间加一个反向pn 结电压VGS，将使沟道区中的空间
2017-12-13 约5.02千字 57页立即下载
一种氮化镓场效应晶体管抗辐照加固的封装器件.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112928072 A (43)申请公布日 2021.06.08 (21)申请号 202110127515.8 (22)申请日 2021.01.29 (71)申请人重庆两江卫星移动通信有限公司
2023-06-06 约9.28千字 9页立即下载
微电子器件（第5版）课件陈勇第4章绝缘栅场效应晶体管.pptx 第4章绝缘栅场效应晶体管;;JFET和MESFET的工作原理相同。以JFET为例，用低掺杂的半导体作为导电沟道，在半导体的一侧或两侧制作PN结，并加上反向电压。利用PN结势垒区宽度随反向电压而变化的特点来控制导电沟道的截面积，从而控制沟道的导电能力。两种FET的不同之处是，JFET利用PN结作为控制栅，而MESFET则是利用金-半结（肖特基势垒结）来作为控制栅。;JFET的基本结构与工作原理;MESFET的基本结构与工作原理;绝缘栅场效应晶体管按其早期器件的纵向结构又被称为“金属-氧化物-半导体场效应晶体管”，简称为MOSFET，但现在这种器件的栅电极实际不一定是金属，绝缘栅也不一定是氧化物，
2025-05-06 约1.36万字 260页立即下载
场效应晶体管JFET与MESFET器件基础.pptx 2.5JFET与MESFET器件基础JFET(Junction-gateFieldEffectTransistor)MESFET(MetalSemiconductorFieldEffectTransistor)都是目前集成电路中广泛使用的半导体器件.JFET可以与BJT(双极晶体管)兼容,可用作恒流源及差分放大器等单元电路;而MESFET是目前GaAs微波集成电路广泛采用的器件结构。MOSFET是靠静电感应电荷控制沟道电荷量,JFET与MESFET依靠势垒的空间电荷区扩展来控制沟道的变化。JFET依靠pn结空间电荷区控制沟道电荷，MESFET是依靠肖基特势垒来控制沟道的变化。 2.5.1器件结
2025-05-11 约5.41千字 10页立即下载
场效应晶体管的p型和n型结构.pdf 场效应晶体管的p型和n型结构 P型和N型场效应晶体管的结构和工作原理 场效应晶体管（FieldEffectTransistor，简称FET）是一种利用电场效应来控制沟道电阻和电流的半导体器件，属于电压控制型器件，具有输入电阻高、噪声低、功耗低、动态范围大、易于集成等优点。场效应晶体管根据沟道的载流子类型和栅极的结构，可以分为P型和N型两种，本文将介绍它们的结构和工作原理，主要包括以下几个方面： -P型和N型场效应晶体管的结构特点； -P型和N型场效应晶体管的工作模式和状态； -P型和N型场效应晶体管的输出特性和转移特性； -P型和N型场效应晶体管的应用领域和优缺点。一、P型和N型场
2024-12-05 约2.03千字 3页立即下载
场效应晶体管-MOSFET.ppt 半导体器件原理南京大学 2。MOSFET 电流电压特性 (1)电荷层近似：反型层中无电势降落或能带弯曲。半导体器件原理南京大学 (2) 线性区的电流电压特性阈值电压Vt 半导体器件原理南京大学半导体器件原理南京大学线性区半导体器件原理南京大学 (3) 饱和区的电流电压特性体效应系数：半导体器件原理南京大学半导体器件原理南京大学饱和区半导体器件原理南京大学 (4) 夹断和电流饱和沟道漏端的表面沟道在饱和状态产生消失。半导体器件原理南京大学夹断区半导体器件原理南京大学半导体器件原理南京大学 Vds→Vds
2019-05-06 约3.66千字 82页立即下载