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第四节场效应晶体管（FET）

晶体三极管是电流控制型器件，当它工作在放大状态时，必须给基极注入一定的基

极电流，放大信号时，需从输入信号源中吸取信号源电流，所以晶体管的输入阻抗低。

场效应晶体管(FET)是一种电压控制型器件，它利用输入电压在半导体内产生的电场效

应来控制输出电流的大小。场效应管的输入端几乎不吸取信号源电流，有极高的输入电

815Ω。场效应管还具有噪声低，受温度、辐射影响小，制造工艺简

阻，一般可达10～10

单，便于大规模集成等优点，因此得到广泛应用。

场效应管根据结构不同可分为结型场效应管(JFET)和绝缘栅型场效应管(IGFET)两

大类，每一类又有N沟道和P沟道之分。

一、结型场效应晶体管(JFET)

1．结构和符号N沟道结型场效应晶体管的结构如图1-4-1所示,在N型半导体两侧

+

制作两个高掺杂的P区,用P表示，从而形成两个PN结，把两侧的P区连接在一起，引出

一个电极，称为栅极(G)，在N型半导体两端各引出一个电极，分别称为源极(S)和漏极(D)，

夹在两个PN结中间的N型区是载流子从源极流向漏极的通道，称为导电沟道。这种导电

沟道是N型半导体，称为N沟道结型场效应管，其电路符号如图1-4-1所示，其中栅极的

箭头方向表示栅源之间的PN结正向电流的方向。

2．工作原理N沟道和P沟道结型场效应管的工作原理相同，以下以N沟道结型

场效应管为例进行分析。

（1）工作条件起放大作用时，N沟道结型场效应管要求漏极电压U为正，栅极

DS

电压U为负，使栅源之间两个PN结反偏，故栅极电流I≈0，输入电阻很高。

DSG

在漏源电压U作用下，N沟道中的载流子定向运动，产生漏源电流I。外加偏置电

DSD

压的接线图如图1-4-2所示，P沟道结型场效应管工作时，电源极性与N沟道结型场效应

管的电源极性相反。

i

D

d+

R

d

g

PP

U

+DD

u

NDS

UuGS

GG

-