Sn-Cu焊料薄膜的制备及其电沉积行为的研究的中期报告.docx

Sn-Cu焊料薄膜的制备及其电沉积行为的研究的中期报告 中期报告 一、研究进展 1.利用无电解沉积（ electrodeless deposition）法成功制得了Sn-Cu合金薄膜。经XRD和SEM等测试表明制备的薄膜主要由Cu3Sn和Cu6Sn5两种相组成，晶粒大小约为10nm左右，薄膜形貌平整，无明显的孔洞和裂缝。 2.采用循环伏安法（ Cyclic Voltammetry， CV）和恒电位电沉积法（ Potentiostatic Deposition， PD）研究了Sn-Cu合金薄膜在不同电位下的电沉积行为。结果表明，在-0.8V到-1.1V范围内，Sn-Cu合金薄膜可以均匀的沉积在导电玻璃上，并且沉积速率较快。 3.通过对Sn-Cu合金薄膜的电化学性能与结构性能的分析，得出薄膜的特性主要由电化学反应和金属相区成分决定。因此，对于制备高质量的Sn-Cu合金薄膜，需要精确掌握电沉积过程中的工艺参数。 二、下一步工作 1.进一步优化Sn-Cu合金薄膜的制备工艺，提高膜层的质量和稳定性。 2.结合电化学测试和结构性质分析，探索Sn-Cu合金薄膜的导电性能，并研究其在电子元器件中的应用前景。 3.对Sn-Cu合金薄膜进行物理性质、化学性质、力学性能等基础性质的测试和分析，为后续研究提供更加有参考价值的数据。