太阳电池用CuInSe2和Cu(In,Ga)Se2薄膜的电沉积制备的中期报告.docx

太阳电池用CuInSe2和Cu(In,Ga)Se2薄膜的电沉积制备的中期报告 本次实验利用电化学沉积法制备了CuInSe2和Cu(In,Ga)Se2薄膜，下面是一些中期报告的内容。 实验过程：利用三电极电化学系统，在玻璃基板上制备CuInSe2和Cu(In,Ga)Se2薄膜。电解液为含有CuCl2、InCl3、SeCl4和GaCl3的乙二醇溶液。工作电极为玻璃基板，银电极和铜电极为参比电极和计时电极。 在实验中通过改变电解液中 Cu、In、Ga、Se 摩尔比例，反复沉积制备了多个薄膜试样，并对其进行了表征。主要表征手段包括X射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）和能量色散X射线（EDS）。 初步结果显示，得到的CuInSe2薄膜的XRD谱图主要呈现出峰位分别对应（112）、（200）、（220）和（312）晶面的特征峰，符合已知的标准晶体结构。而Cu(In,Ga)Se2 薄膜出现了多晶现象，XRD谱图较为复杂，需要进一步分析和研究。 SEM观察结果显示，薄膜表面质量良好，颗粒分布均匀，表面光滑。EDS定量分析表明薄膜的元素成分符合预期，同时也存在一定的缺陷浓度，这也是我们后续研究的重要方向之一。 总体来说，本实验初步制备了CuInSe2 和 Cu(In,Ga)Se2 两种材料薄膜，并对其进行了初步的表征，为后续研究奠定了基础。后续工作将继续深入研究样品的电学性能，以便更好地理解和应用这些材料。