VHFPECVD法制备微晶SiGe薄膜及太阳电池.pdf

光电子·澈光 第18卷第5期2007年5月 V01．18No．5 2007 JournalofOptoelectronics·Laser May VHF--PF_L3／D法制备微晶SiGe薄膜及太阳电池* 谷士斌1’2～，胡增鑫2，张建军2，孙建2，杨瑞霞1 (1．河北工业大学信息学院，天津300132；2．南开大学光电子薄膜器件与技术研究所，光电信息技术科学 教育部重点实验室，光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室，天津300071) 摘要：以Siz 温度和功率条件下制备了SiGe薄膜材料。用喇曼光谱和扫描电子显微镜(SEM)对材料的结构进行了研 V，短路电流密度，。。一 A1，首次获得效率刁一4．2％的／zc-SiGe薄膜太阳能电池，开路电压V。。一0．335 20．16 mA／era2，填充因子FF一41．938％。 曼光谱 中图分类号：0484．4文献标识码：A 文章编号：1005—0086(2007)05—0539—04 SiGe VHF—PECVDforThinFilmSolarCells Microcrystallineby Prepared GUShi—binl2一，HU Jian2，YANGRui—xial Jian—jun2，SUN Zeng—xin2，ZHANG of ofPhoto— (1．InstituteofInformation，Hebei 300132，China；2．Institute UniversityTechnology，Tianjin lectronicsThinFilmDevicesand ofNankai ofPhoto—electronics Technique University，KeyLaboratory ThinFilmDevicesand of of InformationScienceand Tianjin，KeyLaboratoryOpto—electronic Technique 300071，China) Technology，MECTianjin Abstract：Aseriesof filmswere atdifferentsubstrate prepared temperature silicon-germanium(gc--SiGe)thin VHF—PECVD filmswere micro-Raman and (Ts。b)andpowerbyusing technique．Theanalyzedby spectroscopy electron foundthatthestructureofthefilms from