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用紫外可见光谱法求禁带宽度.ppt

发布:2025-03-10约小于1千字共10页下载文档
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由UV-vis光谱求样品的Eg通常(ahv)?是有单位的,(eV)1/2.cm-1/201或(eV)1/2.cm-1/2。02由上述公式可知,(ahv)1/2和(ahv)2只与hv成线性关系,能用于估算Eg。03由朗伯-比尔定律知,A=abc,a是吸光系数,b是比色皿或者薄膜样品厚度,c是浓度。b,c是固定值,a=A/bc=A/K。禁带公式可写成如下形式:04K值的大小对Eg没有影响,以hv为横坐标,以或为纵坐标,作图,再做切线,即可得到Eg。hv用1024/波长代替。前者为直接半导体禁带宽度值,后者为间接半导体禁带宽度值。A(Absorbance)即为紫外可见漫反射中的吸光度。A=-lg(R)(1)F(r)=(1-R)2/2R=a/s(2)R为反射率,a吸收系数,s反射系数求禁带宽度:利用第一个公式求每个吸光度对应的R,用E=1240/波长,做横坐标,利用第二个公式求F(R),再用做纵坐标,做图,再做切线,即得带隙图谱将紫外可见分光漫反射数据导入到excell,然后进行数据处理,下面用第一个公式进行数据处理:下面用Kubelka-Munk公式处理:

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