2025届高考化学一轮总复习单元质检卷5第五单元物质结构与元素周期律.pdf

单元质检卷5

一、选择题(本题共12小题，共48分，每小题4分。在每小题给出的四个选项中，只有一项

是符合题目要求的。)

1．(2024·辽宁卷)下列符号表征或说法正确的是()

＋2－

A．HS电离：HS2H＋S

22

B．Na位于元素周期表p区

2－

C．CO空间结构：平面三角形

3

D．KOH电子式：

＋－

解析：HS是二元弱酸，电离分步进行，其一级电离方程式为HSH＋HS，A项错误；基

22

1

态Na原子的价电子排布式是3s，最终一个电子填充在s能级，位于元素周期表s区，B项

1

2－

错误；CO中心碳原子的价层电子对数为3＋×(4＋2－3×2)＝3，故其空间结构为平面三

32

角形，C项正确；KOH是离子化合物，电子式为，D项错误。

答案：C

2．(2024·东莞中学松山湖学校月考)用价层电子对互斥理论预料HS和BF的空间构型，两

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个结论都正确的是()

A．直线形；三角锥形B．V形；三角锥形

C．直线形；平面三角形D．V形；平面三角形

1

解析：HS中S的孤电子对数为×(6－2×1)＝2，σ键电子对数为2，S的价层电子对数为

22

4，VSEPR模型为四面体型，去掉孤电子对，HS的空间构型为V形；BF中B的孤电子对数为

23

1

×(3－3×1)＝0，σ键电子对数为3，B的价层电子对数为3，VSEPR模型为平面三角形，

2

由于B上没有孤电子对，BF的空间构型为平面三角形；答案选D。

3

答案：D

3．(2024·山东卷)AlN、GaN属于第三代半导体材料，二者成键结构与金刚石相像，晶体中

只存在N—Al、N—Ga。下列说法错误的是()

A．GaN的熔点高于AlN

B．晶体中全部化学键均为极性键

3

C．晶体中全部原子均实行sp杂化

D．晶体中全部原子的配位数均相同

解析：Al和Ga均为第ⅢA元素，N属于第ⅤA元素，AlN、GaN的成键结构与金刚石相像，则

均为共价晶体。AlN、GaN晶体中，N原子与其相邻的原子形成3个一般共价键和1个配位键。

因为AlN、GaN为结构相像的共价晶体，由于Al原子的半径小于Ga，N—Al的键长小于N—Ga

的，则N—Al的键能较大，键能越大则其对应的共价晶体的熔点越高，故GaN的熔点低于AlN，

A项错误；不同种元素的原子之间形成的共价键为极性键，故两种晶体中全部化学键均为极

性键，B项正确；金刚石中每个C原子形成4个共价键(即C原子的价层电子对数为4)，C原