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集成电路-封装技术.ppt

发布:2019-07-10约1.28万字共92页下载文档
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* 花时太长! 目前3‵~5‵达90%固化 下填料固化 涂布下填料 倒装芯片 安装及回流 吸起及反转 上载 打标记 及分离 图16 倒装芯片BGA封装工艺 * 真空吸盘 真空吸球 滴助焊剂 放 球 N2气中回流 助焊剂清洗、分离、打标机 氮气再流焊炉 助焊剂滴涂和置球机 图17 BGA植球工艺流程 * 芯片尺寸封装CSP CSP:Chip Scale Package,芯片尺寸封装。 1. 定义:IC封装所占PCB面积≤1.2倍(或1.5倍或2倍) 芯片面积的多种封装形式的统称。     它是由现有的多种封装形式派生的、外形尺寸 相当于或稍大于芯片的、各种小型封装的总称。 它不是以结构形式来定义的封装。各类μBGA、 MiniBGA、FBGA (节距≤0.5mm)都可属于CSP。     外引脚都在封装体的下面,但可为:焊球、焊凸点、 焊盘、框架引线,品种形式已有50种以上。 (详见“芯片尺寸封装”一书)。 * 2. CSP分类   主要按基板材料来分:   有机基板(PCB)、 陶瓷基板、载带基板、 金属引线框架等   同一类基板,又可分: 芯片面向上,WB(引线键合)内互连; 芯片面向下 FC(倒装芯片)内互连 * * 几种典型的芯片尺寸封装 * 图18  CSP的主要类型 * 主要产品为塑封有机基板 刚性基板上粘片 挠性基板上粘片 引线框架 圆片级封装(金凸点或焊料凸点) CSP可分为 * * * 图18  几类芯片尺寸封装结构示意图 * 3. JEDEC中的CSP标准 ① 已有14个,比BGA(8个)多,名称上采用了“窄节距” “焊球阵列”FBGA,薄型、超薄型、小尺寸、窄节距 BGA和薄、超小型“无引线封装”SON(4个)。 ②  焊点节距范围为:0.40,0.50,0.65,0.75,0.80,1.00 mm。    CSP与BGA的根本区别在于封装面积和芯片面积之比 SP/Sd≤1.2,而不在于节距0.5mm。 ③  正方形和矩形分立为两类:(S-,R-) ④  焊球直径有:0.17,0.30,0.40,0.45,0.50 mm。    焊盘尺寸有:0.40×0.70,0.30×0.50,0.35×0.70 mm2, 多数取0.30×0.50 mm2。 ⑤  封装总体高度有:0.5,0.8,0.9,0.95,1.00,1.20, 1.70 mm等,多数取1.20 mm。 * 4. WLP圆片级封装 1. 概述:   因为圆片级封装的芯片面积和封装面积之比Sd/Sp→1, 所以也称为圆片级CSP,WL-CSP。     主要特征为:管芯的外引出端制作及包封(如果有 的话)全在完成前工序后的硅圆片上完成,然后再分割 成独立的器件。目前已有这类独立的封装厂。     它不同于通常的后封装生产:圆片——分割成芯片 (管芯)—— 再封装。     因为是圆片级加工,故封装加工效率提高,封装厚度 (tsi+t焊点)减小,封装所占PCB面积→S芯片。   * 加工成本高:因为设备贵,设备类似与前工序,需溅射、蒸发、 光刻等设备。现在正在开发低成本的WLP。 引出端材料成分有:PbSn、AuSn、Au、In。 引出端形状有:球、凸点、焊柱、焊盘。         因为引出端只能在芯片内扩展,因此主要是用于 低到中等引出端数器件。        采用窄节距凸点时,引出端数也可多达500以上。 * 前部工艺 硅圆片 完成 切割分离 植球 硅圆片 包封 硅圆片 硅圆片 硅圆片 再分布 形成焊盘 超级CSP(WLP)的工艺流程概况 图19 SuperCSP的工艺流程略图 * 个管芯 圆片级封装(WLP) 图20  圆片封装概况图 * 六、 集成电路外壳的选择
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