CuSbS2光电忆阻器的制备及其神经突触可塑性研究.pdf
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摘要
摘要
忆阻器是一种具备储存功能的非线性电阻元器件，它的结构简单，相比其他
存储器件读取写入速度更快、存储密度更高、能耗更低，特别是在硬件实现类脑
神经形态“存算一体”以解决冯•诺依曼瓶颈方面展现出了巨大应用潜力。当前，
设计构建兼具优异阻变行为和良好光电调控突触可塑性的忆阻器是该领域的前
沿研究热点。本论文在简要概述了国内外针对硫化物光电突触忆阻器研究现状及
影响高性能光电调控忆阻器重要因素的基础上，系统总结了以“CuS
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