Cu3SnS4自整流忆阻器的设计制备及其光电突触可塑性研究.pdf
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摘要
摘要
忆阻器（Memristor），作为一种具有记忆功能的非线性双端元器件，能够模
拟人脑工作方式，已在实现神经网络突触功能方面表现出巨大潜力，为解决传统
冯·诺依曼架构瓶颈提出了新的解决途径，即构建类脑神经形态计算体系。在大
规模忆阻器阵列中，潜行电流是导致忆阻器神经网络运算准确率降低、能耗增加
的重要因素，因而设计制备具有自我抑制潜行电流功能的自整流突触忆阻器成为
了当前该领域的前沿研究热点。本论文在简要概述了国
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