数字电路与系统(何艳)第九章.pptx

2025/4/12第九章半导体存储器1第9章半导体存储器一、半导体存储器概念2.存取速度三、分类二、重要指标1.存储量1.按存取方式分类

第一节只读存储器（ROM）2.按使用器件类型来分一.ROM的分类1.按存储内容写入方式来分四、ROM的逻辑关系二.ROM的结构三.ROM的工作原理1.属于组合逻辑电路2.阵列图

五、ROM的应用六、固定ROM(MROM)1.实现组合逻辑函数2.字符发生器(1)UVEPROM七、可编辑只读存储器(PROM)八、可改写可编程只读存储器(EPROM)(2)E2PROM(3)FlashMemory

第二节随机存储器(RAM)位扩展静态RAM(SRAM)12345动态RAM(DRAM)字扩展存储容量的扩展

第9章半导体存储器2025/4/12第九章半导体存储器5一、半导体存储器概念：2.存取速度二、重要指标三、分类1.存储量：字数N×位数M如1K容量通常指1024×8bit高速RAM的存取时间10ns、8ns、7ns、6ns

1.按存取方式分类：串行存储器(SAM):SequentialAccessMemory只读存储器(ROM):ReadOnlyMemory随机存储器(RAM):RandomAccessMemoryFIFO型例：前述的单向移位寄存器FILO型例：前述的双向移位寄存器

第一节只读存储器（ROM）一.ROM的分类：1.按存储内容写入方式来分：固定ROM(MROM)可擦可编程ROM(EPROM)可编程ROM(PROM）UVEPROME2PROMFLASHMEMORY

2.按使用器件类型来分2025/4/12第九章半导体存储器8二极管ROMMOS型三极管ROM双极型三极管ROM二.ROM的结构：地址译码器、存储单元矩阵、输出电路

存储矩阵M×N输出电路b0b1…bN-1D0D1…DN-1地址译码器W0…A0图9.1.1ROM的结构框图W1WM-1…A1AK

三.ROM的工作原理2025/4/12第九章半导体存储器10结论：存1，字线W和位线b间接二极管；01存0，字线W和位线b间不接二极管。02

11D3D2D11D0驱动器输出电路存储矩阵地址译码器b3b2b1b0字线W0W1W2W3111位线VCCA1A0图9.1.24×4位二极管ROM

表9.1.1图9.1.2的地址输入与输出状态对应关系地址输入选中字线ROM输出A1A0D3D2D1D000W0101001W1111010W2010111W31101

四、ROM的逻辑关系：2025/4/12第九章半导体存储器131.属于组合逻辑电路译码器部分的输出变量和输入变量（包括原变量和反变量）构成“与”的关系。存储矩阵和输出电路部分的输出变量和存储矩阵的输入变量构成“或”的关系。2.进行ROM电路的分析和设计，常用阵列图来表示ROM的结构

D0D1A1A0图9.1.3ROM的阵列图A1A0W0W3W2W1D2D3与阵列或阵列

“黑点”代表输入、输出间应具有的逻辑关系（“与”或者“或”）（在存储矩阵中，表示交叉处有二极管。）五、ROM的应用1.实现组合逻辑函数例9.1.1试用ROM实现如下组合逻辑函数。

首先应将以上两个逻辑函数化成由最小项01组成的标准“与-或”式,即02解:03采用有3位地址码、2位数据输出的8字节×204位ROM。将A、B、C3个变量分别接至地址05输入端A2A1A0。按逻辑函数要求存入相应数06据,即可在数据输出端D0、D1得到F1和F2,其07

ROM阵列如图9.1.9所示2025/4/12第九章半导体存储器17111(D1)(D0)F2F1ABCROM阵列

例9.1.2试用ROM设计一个8421BCD码7段显示译码器电路，其真值表如表9.1.2所示。出数据为7位的16字节×7位ROM。解：由真值表可见，应取用输入地址为4位，输可根据真值表直接画出ROM的阵列图，而不需要列出逻辑式。

2025/4/12第九章半导体存储器19Q3Q2Q1Q0abcdefg显示000000000010000110011111001000100102001100001103010010011004010101001005011001000006011100011117100000000008100100001009表9.1.28421BCD码7段显示译码器电路的真值