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一种提高GaN HEMT界面质量的方法.pdf

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(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112993029 B (45)授权公告日 2022.04.01 (21)申请号 202110154226.7 H01L 21/335 (2006.01)

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