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一种半导体工艺腔室.pdf

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(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112820616 A (43)申请公布日 2021.05.18 (21)申请号 202110062620.8 (22)申请日 2021.01.18 (71)申请人北京北方华创微电子装备有限公司

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半导体工艺角.doc 与双极晶体管不同，在不同的晶片之间以及在不同的批次之间，MOSFETs参数变化很大。为了在一定程度上减轻电路设计任务的困难，工艺工程师们要保证器件的性能在某个范围内，大体上，他们以报废超出这个性能范围的芯片的措施来严格控制预期的参数变化。 detail 通常提供给设计师的性能范围只适用于数字电路并以“工艺角”（Process Corner）的形式给出。如图，其思想是：把NMOS和PMOS晶体管的速度波动范围限制在由四个角所确定的矩形内。这四个角分别是：快NFET和快PFET，慢NFET和慢PFET，快NFET和慢PFET，慢NFET和快PFET。例如，具有较薄的栅氧、较低阈值电压的晶体管，就
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半导体工艺基础.ppt 2、平板型反应器特点：（1）上下电极彼此平行，间距 2~5 cm，电场均匀地分布在平行极板之间。除自由基的化学腐蚀作用外，离子在电场作用下作与硅片表面垂直的定向运动而产生微弱的溅射刻蚀作用，使腐蚀具有一定的各向异性，使分辨率有所提高。（2）腐蚀速率高，选择性好，设备简单，成本低。 * (三)、等离子体刻蚀的性能 1、影响刻蚀速率的各种因素 (1) 射频功率越高，腐蚀速率越快。但过高的功率会降低光刻胶的抗蚀性，导致腐蚀的可控性变差。 (2) 增加腐蚀气体流量，将增加活性离子
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半导体工艺整理..doc 三．热分解淀积氧化热分解氧化薄膜工艺是利用含硅的化合物经过热分解反应，在硅片表面淀积一层二氧化硅薄膜的方法。这种方法的优点是：基片本身不参与形成氧化膜的反应，而仅仅作为淀积二氧化硅氧化膜的衬底。衬底可以是硅也可以不是硅而是其它材料片。如果是硅片，获得二氧化硅膜也不消耗原来衬底硅，而保持硅片厚度不变，这是与热氧化法最根本的区别。因为这种方法可以在较低的温度下应用，所以被称作“低温淀积”。常用的热分解淀积氧化膜反应源物质（硅化合物）有正硅酸乙脂和硅烷两种。现分别介绍如下： 1．正硅酸乙脂热分解淀积淀积源的温度控制在20 oC左右，反应在真空状态下进行，真空度必须在10-2×133.3Pa
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半导体工艺知识.doc 第一章工艺和器件发展概述 1947年第一只具有放大作用的点接触晶体管问世，与电子管相比具有很多优点，引起人们广泛注意，在随后的十几年时间相继发明了各式各样晶体管(合金管、合金扩散管、台面管等)。1960年硅平面工艺和外延技术的出现，使半导器件的制造工艺获得重大突破。它为集成电路的制造开拓了广阔的途径，促进了半导体器件进一步向微型化、低功耗和高可靠性方向发展。集成度由SSI、MSI、LSI、VLSI步入了ULSI时代。 1957年第一只SCR问世以来功率器件也取得了长足的进步，相继推出了GTO(可关断晶闸管)TRIAC(双向晶闸管)和GTR(达林顿功率晶体管)这些都是双极型器件，它们共同优点
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半导体镀膜工艺.ppt 镀膜工艺北京亚科晨旭科技有限公司2015年12月基本概念真空等离子体真空1.真空的定义真空的含义是指在给定的空间内低于一个大气压力的气体状态，是一种物理现象。2.真空的计量单位真空度的高低可以用多个参量来度量，最常用的有“真空度”和“压强”单位Pa1Pa=1N/㎡=7.5*10-3Torr1mmHg=1Torr=133Pa1Bar=1Kg/c㎡=1000mBar1Bar=1大气压=0.1MPa1mBar=100Pa3.真空区域的划分标准大气压为：1.013×10^5Pa（帕斯卡），等于760mmhg（毫米汞（水银）柱低真空105Pa~102Pa中真空102Pa~10-1Pa高真空10-1Pa~
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