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一种平电场沟槽半导体芯片终端结构及其制备方法.pdf

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(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113394264 A (43)申请公布日 2021.09.14 (21)申请号 20201

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