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一种可优化终端电场的沟槽MOSFET结构及其制造方法.pdf

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(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114464666 A (43)申请公布日 2022.05.10 (21)申请号 202111608832.8 (22)申请日 2021.12.27 (71)申请人龙腾半导体股份有限公司地址 71

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