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金刚石衬底GaN HEMT与氢终端MOSFET集成结构及其制备方法.pdf

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(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114551445 A (43)申请公布日 2022.05.27 (21)申请号 202210090160.4 (22)申请日 2022.01.25 (71)申请人西安电子科技大学地址 71000

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