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一种隔离栅沟槽型MOSFET器件及其制造方法.pdf

发布：2023-06-05约1.13万字共13页下载文档

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(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112802754 B (45)授权公告日 2022.04.08 (21)申请号 202110011365.4 CN 109148585 A,2019.01.04 (22)

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