文档详情

一种耐短路电流冲击的沟槽MOSFET器件及制造方法.pdf

发布：2023-06-06约1.3万字共18页下载文档

文本预览下载声明

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112802900 A (43)申请公布日 2021.05.14 (21)申请号 202110154380.4 (22)申请日 2021.02.04 (71)申请人捷捷微电（无锡）科技有限公司

显示全部

相似文档

一种隔离栅沟槽型MOSFET器件及其制造方法.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112802754 B (45)授权公告日 2022.04.08 (21)申请号 202110011365.4 CN 109148585 A,2019.01.04 (22)
2023-06-05 约1.13万字 13页立即下载
一种可优化终端电场的沟槽MOSFET结构及其制造方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114464666 A (43)申请公布日 2022.05.10 (21)申请号 202111608832.8 (22)申请日 2021.12.27 (71)申请人龙腾半导体股份有限公司地址 71
2023-05-06 约8.24千字 11页立即下载
一种高静电防护能力的沟槽MOSFET器件.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112802837 A (43)申请公布日 2021.05.14 (21)申请号 202011602651.X (22)申请日 2020.12.29 (71)申请人江苏
2023-06-02 约6.6千字 8页立即下载
SGT MOSFET器件及制造方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114582978 A (43)申请公布日 2022.06.03 (21)申请号 202011369370.4 (22)申请日 2020.11.30 (71)申请人南通尚阳通集成电路
2023-05-10 约2.57万字 26页立即下载
一种低比导通电阻的分立栅MOSFET器件及其制造方法.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113410309 A (43)申请公布日 2021.09.17 (21)申请号 202110699801.1 (22)申请日 2021.06.23 (71)申请人电子科技大学地址
2023-06-18 约1.95万字 17页立即下载
一种带电荷收集槽的功率MOSFET器件及其制造方法.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号CN107946359A (43)申请公布日 2018.04.20 (21)申请号20171
2024-02-05 约1.47万字 12页立即下载
一种提高防静电能力的MOSFET器件及制造方法.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112820776 A (43)申请公布日 2021.05.18 (21)申请号 202110154379.1 (22)申请日 2021.02.04 (71)申请人捷捷微电（无锡）科技有限公司
2023-06-03 约1.64万字 17页立即下载
一种全超结MOSFET器件结构及其制造方法.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113345954 A (43)申请公布日 2021.09.03 (21)申请号 202110677182.6 (22)申请日 2021.06.18 (71)申请人上海道之科技有限公司
2023-06-20 约8.35千字 10页立即下载
沟槽型MOSFET器件及制备方法、电子设备及制备方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号CN117727776A (43)申请公布日2024.03.19 (21)申请号202311746879.X (22)申请日2023.12.19 (71)申请人深圳市创飞芯源半
2024-03-19 约1.25万字 12页立即下载
一种提升SGT MOSFET耐压的方法、SGT MOSFET器件及制造方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114784093 A (43)申请公布日 2022.07.22 (21)申请号 202210566172.X (22)申请日 2022.05.24 (71)申请人深圳云潼科技有限公
2023-05-17 约1.12万字 11页立即下载
一种可优化终端电场的屏蔽栅沟槽MOSFET结构及其制造方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114464667 A (43)申请公布日 2022.05.10 (21)申请号 202111609117.6 (22)申请日 2021.12.27 (71)申请人龙腾半导体股份有限公司地址 71
2023-05-08 约9.83千字 13页立即下载
功率MOSFET器件结构及其制造方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号CN117727788A (43)申请公布日2024.03.19 (21)申请号202311767797.3 (22)申请日2023.12.20 (71)申请人蔚来汽车科技（安徽）有限公司地址
2024-03-19 约2.17万字 22页立即下载
一种双沟槽碳化硅MOSFET及其制备方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114792734 A (43)申请公布日 2022.07.26 (21)申请号 202210712682.3 (22)申请日 2022.06.22 (71)申请人深圳芯能半导体技术
2023-05-12 约2.65万字 30页立即下载
屏蔽栅沟槽功率器件的制造方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112838009 B (45)授权公告日 2022.08.26 (21)申请号 202110032009.0 H01L 29/78 (2006.01)
2023-06-02 约1.16万字 11页立即下载
屏蔽栅沟槽功率器件的制造方法.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113410291 A (43)申请公布日 2021.09.17 (21)申请号 202110672190.1 (22)申请日 2021.06.17 (71)申请人上海华虹宏力半导体制造有限公司
2023-06-21 约1.25万字 14页立即下载