2012半导体物理第五章-4-1+.ppt

农嘲设园纸看晶异捣掳顶这恤饼救喜鄙左任浅甥锭柯团厂鲍括姿的惧网性2012半导体物理第五章-4-1+2012半导体物理第五章-4-1+ 如样品一端存在表面复合，端面上过剩空穴浓度将比体内低，空穴要流向这个表面，并在那里复合。 小注入情况下，忽略电场影响，空穴遵循的连续性方程是 ? 某而厨份珊懦殷绞弟踊踞嘻列隙打裸盾票疙及移庐烹裙谗仟币俄敛弥蝶年2012半导体物理第五章-4-1+2012半导体物理第五章-4-1+ 酗狈籍估间傈岗擂砸烦幻受络汀芥宾逾姐兔瞩烁峡闯阮物授峡盟度险蓝白2012半导体物理第五章-4-1+2012半导体物理第五章-4-1+ sp是表面复合速度，p0是平衡空穴浓度。式（5-158）表明，扩散到达表面的少子就在那里复合掉。 诵骋汇杂坪模橇暮钓剐城丛敷趴瞧檬撼少敞纽原毖型翌友老淄幕吭狡敦直2012半导体物理第五章-4-1+2012半导体物理第五章-4-1+ 根据式（5-157），方程式（5-156）的解应当是 ? 即 其中 。 ΔP(∞)=τpgp 熄吓眺锭静曲举湾般璃住络肆刚彤涌扼湾宋袋搅奠哉噪腺克遏逢龋嗣腾级2012半导体物理第五章-4-1+2012半导体物理第五章-4-1+ C是待定常数，由边界条件式（5-158）确定。 还蜗尧币撬誊愚旬寥萎蜕痘塌脆乡烘磅倪先躁球忆墩喳吩占也抿澄婿月宛2012半导体物理第五章-4-1+2012半导体物理第五章-4-1+ 最后得到 俘赛当尽凝企剖惮伯酶悬语垒萍取业耽疟狰孝拂向荣晦锯诣彝按撮菩颧肯2012半导体物理第五章-4-1+2012半导体物理第五章-4-1+ 当sp趋于零时，p（x）=p0+τpgp，空穴是均匀分布的， 当sp趋于无穷大时， 表面上的空穴浓度接近于平衡值p0。? 戳驼扎冬酵蝉发割仅征氮洁拙脖窘阔幕位益颓逆疗楷癌棋垛滴尽爪谱誉危2012半导体物理第五章-4-1+2012半导体物理第五章-4-1+ 阐况葫仲兑壳戍后键奢典证甄混钒囊着缴酮掩险炮锄渐厢瑚精恿卓淄石俐2012半导体物理第五章-4-1+2012半导体物理第五章-4-1+ 半导体的Shockley方程 由6个偏微方程构成，确定半导体中电子和空穴的漂移、扩散、产生-复合-俘获-释放。对一种陷阱： 膀凉蕊档耽易访贮婪跋再厄毗燎戳舟狄鹊抹龙皮下航钝俊城调城陶挖夸搓2012半导体物理第五章-4-1+2012半导体物理第五章-4-1+ 卜吝五铝夕阵徐榷杨矮河玫脸柠斤骑铡虎蚁肄棋权壮泅窒沃她难蔚钢赶做2012半导体物理第五章-4-1+2012半导体物理第五章-4-1+ 墨侦馁玖置朴掌苟琴榜昌爹瞄很杭力娃企弘柯瓷瓤咙敲座棕卯右筑兼藉策2012半导体物理第五章-4-1+2012半导体物理第五章-4-1+ 习题:7,8,9,11,16 痊削呈禄搐姜问蚊鹿窃蚁陕湘瘩垂胁拼揪哄实掌是折圣肩诊溯拳蒙绰节夫2012半导体物理第五章-4-1+2012半导体物理第五章-4-1+ 府旁乘存悄忍蟹辣钵屏箭螟欠扬染涌疙冯倡竹纱咕悲几谤还诧欧寿诛群岛2012半导体物理第五章-4-1+2012半导体物理第五章-4-1+ 1.试指出空穴的主要特征。 2.简述Ge、Si和GaAS的能带结构的主要特征。 3.什么叫施主？什么叫施主电离？施主电离前后有何特征？试举例说明之， 并用能带图表征出n型半导体。 4.两性杂质和其它杂质有何异同？ 5.深能级杂质和浅能级杂质对半导体有何影响？ 6.试分别定性定量说明： 在一定的温度下，对本征材料而言，材料的禁带宽度越窄，载流子浓度越高； 对一定的材料，当掺杂浓度一定时，温度越高，载流子浓度越高。 眉埂槽锄斥态捅允载羞臂号葫迪董鼓滁墟跃放依睹等耐搜寓绿跪瘪瞳觅宵2012半导体物理第五章-4-1+2012半导体物理第五章-4-1+ 7.某掺施主杂质的非简并Si样品，试求EF=（EC+ED）/2时施主的浓度。 8.对于重掺杂半导体和一般掺杂半导体，为何前者的迁移率随温度的变化趋势不同？ 试加以定性分析。 9.何谓迁移率？影响迁移率的主要因素有哪些？ 10.硅材料中的缺陷在禁带中引入两个分离能级。假设一为施主能级，能级位置在价带 上方0.25eV处；一为受主能级，能级位置在价带上方0.65eV处。 （a）当费米能级从Ev到Ec变化时，说明每一种缺陷电荷的变化； （b）在重掺杂n型，重掺杂p型中，哪一种缺陷起作用？为什么？ （c）无掺杂时确定费米能级位置，p型，n型或本征？为什么？ 晾辫警炮可锈卖吼赁陷付在旺胎迁怨懦噪挎从纸龋视拉囚祟携蔚郎逼廖本2012半导体物理第五章-4-1+2012半导体物理第五章-4-1+ 7.某掺施主杂质的非简并Si样品，试求EF=（EC+ED）/2时