半导体物理与器件第五章2分解.ppt

半导体物理器件 第五章.ppt 第五章 结型场效应晶体管 5.1 JFET的基本结构和工作过程 5.1 JFET的基本结构和工作过程 5.1 JFET的基本结构和工作过程二、工作原理场效应：半导体的电导率被垂直于半导体表面的电场调制的效应叫做场效应。 5.1 JFET的基本结构和工作过程 JFET的几个突出的特点: ① JFET的电流传输主要由一种型号的载流子—多数载流子承担，不存在少数载流子的贮存效应，因此有利于达到比较高的截止频率和快的开关速度。 ② JFET是电压控制器件。它的输入电阻要比BJT的高得多，因此其输入端易于与标准的微波系统匹配，在应用电路中易于实现级间直接耦合。

2017-12-13 约1.12万字 71页立即下载

2017-04-18 约小于1千字 39页立即下载

尼曼-半导体物理与器件第五章分析.ppt 第五章 载流子输运现象 * 前边讨论的都是均匀掺杂半导体，实际半导体器件中，经常有非均匀掺杂的区域。热平衡状态下：非均匀掺杂将导致杂质浓度空间分布不同，从而载流子浓度不同。形成的载流子浓度梯度将产生扩散电流。并且由于局域的剩余电荷（杂质离子）存在而产生内建电场。内建电场形成的漂移电流与扩散电流方向相反，当达到动态平衡时，两个电流相等，不表现出宏观电流，从而造成了迁移率和扩散系数之间的关联：爱因斯坦关系。 5.3 杂质梯度分布 第五章 载流子输运现象 * （1）感生电场 E x Ec Ev EFi EF 热平衡状态不均匀掺杂n型半导体 nx 热平衡状态，费米能级为一个常数，因而非均匀掺杂半

2017-01-08 约6.87千字 39页立即下载

尼曼半导体物理与器件第五章.ppt 第五章 载流子输运现象 * 前边讨论的都是均匀掺杂半导体，实际半导体器件中，经常有非均匀掺杂的区域。热平衡状态下：非均匀掺杂将导致杂质浓度空间分布不同，从而载流子浓度不同。形成的载流子浓度梯度将产生扩散电流。并且由于局域的剩余电荷（杂质离子）存在而产生内建电场。内建电场形成的漂移电流与扩散电流方向相反，当达到动态平衡时，两个电流相等，不表现出宏观电流，从而造成了迁移率和扩散系数之间的关联：爱因斯坦关系。 5.3 杂质梯度分布 第五章 载流子输运现象 * （1）感生电场 E x Ec Ev EFi EF 热平衡状态不均匀掺杂n型半导体 nx 热平衡状态，费米能级为一个常数，因而非均匀掺杂半

2017-05-29 约6.96千字 39页立即下载

.第五章 半导体器件.ppt 一、什么是半导体 导电能力介于导体和绝缘体之间的材料称为半导体，半导体是在某种条件下导电，而在别的条件下不导电的材料。半导体包括二极管、三极管、晶闸管等。制造半导体最常用的材料是硅晶体和锗晶体。晶体是具有确定的原子结构的材料，纯的晶体不能用来制作 半导体，需要在这两种晶体中掺杂极小比例的其他元素。硅晶体和锗晶体都是四价元素，掺人杂质后，导电性能就会发生明显变化。根据掺杂元素的不同，可以把半导体分为P型半导体和N型半导体。在晶体中掺入微量的五价磷元素，产生多余的自由电子充当导电载流子，掺人磷元素杂质的半导体叫做N型半导体；在晶体中掺人微量的三价硼元素，因为缺少电子产生空穴

2017-10-04 约1.95万字 76页立即下载

第五章半导体器件.ppt ① 国产JFT201型电子调压器 JFT201型电子调压器适用于14V、500W以下的各种交流发电机，电路如图5-33 所示。电阻R2、R3、R4组成分压电路，B点电位随着发电机输出电压的变化而变化。在发电机输出电压小于预定调节电压值时，AB之间的电压小于稳压管VZ的反向击穿电压，稳压管VZ截止，三极管VT1基极电流等于零，VT1截止。而VT2的发射极和基极处于较高的电压作用下饱和导通，接通励磁线圈，发电机正常发电。当发电机输出电压升高，达到预定调节值时，AB之间的电压大于稳压管VZ的反向击穿电压，稳压管VZ导通，三极管VTl基极流过电流，VT

2017-05-17 约1.95万字 76页立即下载

[信息与通信]半导体器件物理第五章_59230712.pdf J.Hsu 微电子学研究所微电子与纳电子学系 半导体器件 物理进展 第五章双极型晶体管的优化设计及性能因子 Bipolar Device Design Optimization and Performance Factors J.

2018-03-03 约4.38万字 65页立即下载

半导体物理学刘恩科第七版第五章非平衡载流子分解.ppt 5.1非平衡载流子的注入与复合 5.2非平衡载流子的寿命 5.3 准费米能级 5.4 复合理论 5.5 陷阱效应 5.6载流子的扩散运动 5.7 漂移运动 5.8 连续性方程;;对N型半导体，无光照时， n0》p0 用一定波长的光照射半导体，若光子能量h??Eg, 吸收光子能量，电子被激发到导带，产生电子-空穴对。即产生非平衡载流子?n、?p，?n称为非平衡多子， ?p称为非平衡少子。 p型半导体刚好相反。; ;;3.;非平衡载流子的电注入：给pn结加正向电场。;5.2 非平衡载流子的寿命;非平衡载流子的平均生存时间;5.3 准费米能级;准费米能级：导带费米能级和价带费米能级都是

2017-04-19 约1.5千字 68页立即下载

2015第7次课第五章半导体异质结中的二维电子气及调制掺杂器件分解.ppt 问题？;第五章半导体异质结中的二维电子气及调制掺杂器件;; 基于低维半导体材料的量子器件的特性低维半导体材料是一种人工设计、制造的新型半导体材料, 是新一代量子器件的基础。 ? 基于它的纳米电子学器件和电路具有超高速、超高频 ( 1000GHz )、高集成度 ( 1010元器件/cm2 ) 和高效、低功耗等特点。 ? 基于它的光电子器件，如量子点激光器等，则有极低的阈值电流 ( 亚微安 ) 、极高的量子效率、极高的调制速度、极窄的线宽和高的特征温度等。 ? 这些特性在未来的纳米电子学、光电子学、光子学和新一代 VLSI 以及光电集成、光集成等方面有著极其重要的应用

2017-04-17 约1.19千字 38页立即下载

半导体物理学第五章.ppt A.电子俘获率 ① B.电子产生率 ② C.空穴俘获率 ③ D.空穴产生率 ④ 电子俘获系数，电子激发几率空穴俘获系数，空穴激发几率单位: 产生率，俘获率 (1/cm3?s) 俘获系数 (cm3/s), 激发几率 (1/s) 热平衡时：

2022-06-15 约4.12千字 37页立即下载

半导体物理第七版第五章习题.pdf 第五章 习题 3. 14 3 10.cm其掺杂浓度为510 cm 16 3 p G 10 cm 1

2017-10-06 约1.2万字 19页立即下载

半导体物理第五章(教材PPT).ppt * 表明：对于相同的Au浓度，p型Si中的少子寿命是n型Si的 1.9倍。在掺Au的Si中，少子寿命与Au的浓度Nt成反比。少量的有效复合中心能大大缩短少子寿命，因此可通过控制Au浓度，在较大的范围内改变少子的寿命。而且复合中心的引入不会严重影响其它性能(如电阻率)；由于Au在Si中的复合作用有上述特点，因此在开关器件及其相关的电路制造中，掺Au工艺已作为缩短少子寿命的有效手段而广泛应用。扁熊僧咱橇闲勺晚提宵埠晕笛界瘩羡蜡渊汤恃马懈扶撩涪甘抗疏峡铆携娩半导体物理第五章(教材PPT)半导体物理第五章(教材PPT) * 例题1

2017-02-11 约1.69万字 130页立即下载

半导体物理第五章(教材PPT).ppt * 表明：对于相同的Au浓度，p型Si中的少子寿命是n型Si的 1.9倍。在掺Au的Si中，少子寿命与Au的浓度Nt成反比。少量的有效复合中心能大大缩短少子寿命，因此可通过控制Au浓度，在较大的范围内改变少子的寿命。而且复合中心的引入不会严重影响其它性能(如电阻率)；由于Au在Si中的复合作用有上述特点，因此在开关器件及其相关的电路制造中，掺Au工艺已作为缩短少子寿命的有效手段而广泛应用。萤思潮燎陆琢蜡浴猿纂钾赋谈琉轩山躯弃杯苞侧谨胸又凝杯备阑有丘唾纫半导体物理第五章(教材PPT)半导体物理第五章(教材PPT) * 例题1

2017-02-18 约1.69万字 130页立即下载

2012半导体物理第五章-4-1+.ppt 农嘲设园纸看晶异捣掳顶这恤饼救喜鄙左任浅甥锭柯团厂鲍括姿的惧网性2012半导体物理第五章-4-1+2012半导体物理第五章-4-1+ 如样品一端存在表面复合，端面上过剩空穴浓度将比体内低，空穴要流向这个表面，并在那里复合。小注入情况下，忽略电场影响，空穴遵循的连续性方程是 ? 某而厨份珊懦殷绞弟踊踞嘻列隙打裸盾票疙及移庐烹裙谗仟币俄敛弥蝶年2012半导体物理第五章-4-1+2012半导体物理第五章-4-1+ 酗狈籍估间傈岗擂砸烦幻受络汀芥宾逾姐兔瞩烁峡闯阮物授峡盟度险蓝白2012半导体物理第五章-4-1+2012半导体物理第五章-4-1+ sp是表面复合速度，p0

2017-04-30 约2.73千字 21页立即下载

半导体物理第五章非平衡载流子.ppt 5.8 连续性方程 1、方程的建立由于扩散，空穴的积累率由于漂移，空穴的积累率 2、连续性方程的应用 1）光激发撤销非平衡载流子的衰减 2）一维稳态下的非平衡载流子的漂移和扩散运动稳态连续方程若Lp(E)》Lp(强场）扩散可忽略，表面注入非平衡载流子深入样品的平均距离近似为牵引长度。若场较弱， Lp(E)《Lp 3）少数载流子脉冲在电场中的漂移无电场有电场表面光恒定，p不随时间变化，材料均匀：牵引长度 第五章 非平衡载流子在外界因素的作用下，能带中的载流子数目发生明显的改变，即产生非平衡载流子。晶体管放大 半导体发光光电导本章内容：非平衡载流子的注入，

2017-01-26 约2.03千字 40页立即下载