2015年天津大学半导体物理考研真题,考研重点,真题解析,考研心态.pdf

2015年天津大学考研指导 育明教育，创始于 2006年，由北京大学、中国人民大学、中央财经大学、 北京外国语大学的教授投资创办，并有北京大学、武汉大学、中国人民大 学、北京师范大学复旦大学、中央财经大学、等知名高校的博士和硕士加 盟，是一个最具权威的全国范围内的考研考博辅导机构。更多详情可联系 育明教育孙老师。 半导体物理或电介质物理 本考试课程由两部分组成，请考生根据自己的具体情况任选一部分进行答题。 第一部分： 半导体物理考 试大纲（参加半导体物理考试的考生参考）： 一、考试的总体要求 本课程为本专业主干专业基础课，要求考生掌握半导体物理的基本概念、p-n 结、MOS 结构、 异质结、各种半导体效应（光、磁、热、压阻等）基本原理和应用。 二、考试的内容及比例 （一）考试内容要点： 第一部分： （70%） 1、半导体能带结构、半导体有效质量、空穴、杂质能级； 2、热平衡状态下半导体载 流子的统计分布，本征半导体和杂质半 导体的载流子浓度，简并 半导体和重掺杂效应； 3、半导体的导 电性：载流子的漂移运动、迁移率、散射、强电场效应、热载流子的概念, 半导体电阻率与温度、杂质浓度 的关系，体内负微分电导； 4、非平衡载流子：非平衡载流子的产生、复合、寿命、扩散长度、准费米能 级，爱因斯坦 关系，一维稳定扩散，光激发载流子衰减； 5、p-n 结、MOS 结构：平衡与非平衡 p-n 结 特点及其能带图，pn 结理想和非理想 I-V 特性， p-n 结电容概念与击穿机制，p-n 结隧道效应、肖特基 势垒二极管； 6、MOS 结构表面电场效应，理想与实际 MOS 结构 C-V 特性， MOS 系统的性质 （固定 电荷、 可动离子、界面态对 C-V 特性的影响），表面电场对 p-n 结特性的影响； 第二部分：（30%） 7、半导体异质结：异质结概念及理想突变反型异质结能带图，异质 p-n 结注入特性 （高注入比与超注入概念），半导体应变异质结概念； 8、半导体光学性质：半导体光吸收，半导体光电 探测器, 半导体太阳电池，半导体发光概 念与应用，半导体激光与应用； 9、半导体霍尔效应、半导体压 阻效应、半导体热电效应及其应用，非晶态半导体概念。 （二）比例： 考试内容前 6 个问题占 70%，后 3 个问题占 30%，计算与推导题基本覆盖在 2 至 6 个 问题中。 三、试卷题型及比例 1、概念与问答题：40%； 2、论述题：30%； 3、计算与推导题：20%； 4、实验与 综合题：10%。 四、考试形式及时间 考试形式均为笔试。考试时间为 3 小时(满分 150)。 五、参考书目 半导体物理学，（第七版）， 刘恩科、朱秉升、罗晋生编著，电子工业出版社。 第二部分：电介质物理大纲（参加电介质物理考试的考生参考）： 一、考试的总体要求 本课程要求考生重点掌握电介质物理的基本原理与概念，并能运用这些基本概念分析 和解释 有关的实际问题。 1 1 / 8 【育明教育】中国考研考博专业课辅导第一品牌 官方网站：http:// . 开设课程： 【网络函授班】 【精品小班】 【高端一对一】 【状元集训营】 【定向保录】 二、考试的内容及比例 考试具体范围如下：1、恒定电场中电介质的极化 （1）介电常数和介质极化； （2） 有效电场； （3）克-莫方程及其应用； （4）极性液体介质的有效电场； （5）电子位移极化、离子位移 极化、转向极化、热离子极化、空间电荷极化。2、恒定电场中电介质的电导 （1）气体介质的电导； （2） 液体介质的电导； （3）固体介质的电导-固体介质的离子电导； （4）固体介质的表面电导； （5）直流 电场下介质的绝缘电阻与能量损耗。 3、交变电场中电介质的损耗 （1）复介电常数和复折射率； （2） 介质损耗； （3）弛豫现象； （4）德拜方程； （5）柯尔-柯尔圆弧律； （6）介质损耗与温度的关系； （7） 计及漏电导时的介质损耗； （8）有损耗电介质的等效电路。 三、试卷类型及比例 1、名词辨析题：20%2、填空题：20%3、简答题：40%4、综合题：20% 四、考试形式及时间 考试形式均为笔试。考试时间为 3 小时（满分 150 分）。 五、参考书目 1、 《电介质物理导论》，李翰如，成都科技大学出版社； 2、 《电介质物理基础》，孙目珍，华南理工大学出版社； 《电介质物理》，张良莹、姚熹，西安交通大学出版社。 这里