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III族氮化物衬底制备方法和半导体器件.pdf

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(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112802930 B (45)授权公告日 2021.07.06 (21)申请号 202110402917.4 B82Y 40/00 (2011.01)

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