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氮化硅膜蚀刻溶液及使用其的半导体器件的制备方法.pdf

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(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112824482 A (43)申请公布日 2021.05.21 (21)申请号 202011095833.2 (22)申请日 2020.10.14 (30)优先权数据 10-2019-0

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