文档详情

改善晶圆翘曲的方法、半导体器件制备方法及半导体器件.pdf

发布：2023-05-11约1.66万字共15页下载文档

文本预览下载声明

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114566429 A (43)申请公布日 2022.05.31 (21)申请号 202011362084.5 (22)申请日 2020.11.27 (71)申请人株洲中车时代半导体有限公司地址

显示全部

相似文档

半导体器件的制备方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114551223 A (43)申请公布日 2022.05.27 (21)申请号 202210275982.X (22)申请日 2022.03.21 (71)申请人上海积塔半导体有限公司地址 20
2023-05-09 约1.59万字 18页立即下载
半导体器件的制备方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 114551224 B (45)授权公告日 2022.08.02 (21)申请号 202210455052.2 (56)对比文件 (22)申请日 2022.04.28
2023-05-10 约1.03万字 10页立即下载
晶圆、半导体器件及其制造方法 .pdf 晶圆、半导体器件及其制造方法--第1页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利说明书 (10)申请公布号CN111293047A (43)申请公布日2020.06.16 (21)申请号CN201811393018.7 (22)申请日2018.11.21 (71)申请人长鑫存储技术有限公司地址230000安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室 (72)发明人不公告发明人 (74)专利代理机构北京律智知识产权代理有限公司代理人袁礼君 (51)Int.CI 权利要求说明书说明书幅图 (54)发明名称 晶圆、半导体器件及其制造方法 (57)摘要本公开提供一种晶圆、半
2025-03-23 约1.19万字 15页立即下载
半导体器件的制备方法及半导体器件.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116092927 A (43)申请公布日 2023.05.09 (21)申请号 202111289569.0 (22)申请日 2021.11.02 (71)申请人长鑫存储技术有限公司地址 23
2023-05-10 约1.87万字 20页立即下载
半导体器件的制备方法和半导体器件.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113013101 A (43)申请公布日 2021.06.22 (21)申请号 202010535596.0 H01L 27/092 (2006.01) (22)申请日
2023-06-07 约8.98千字 10页立即下载
半导体器件的制备方法及屏蔽栅沟槽器件.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114582717 A (43)申请公布日 2022.06.03 (21)申请号 202011377002.4 (22)申请日 2020.11.30 (71)申请人无锡华润上华科技有限公司地址 2
2023-05-09 约1.67万字 18页立即下载
一种半导体器件及其制备方法.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112838050 A (43)申请公布日 2021.05.25 (21)申请号 202110167903.9 (22)申请日 2021.02.05 (71)申请人泉芯集成电路制造(济南)有限公司
2023-06-03 约1.35万字 15页立即下载
一种半导体器件制备方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113345807 B (45)授权公告日 2022.06.21 (21)申请号 202110418968.6 H01L 29/739 (2006.01)
2023-06-17 约1.47万字 14页立即下载
半导体器件及其制备方法.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113380885 A (43)申请公布日 2021.09.10 (21)申请号 20201
2023-06-17 约1.4万字 16页立即下载
一种半导体器件的制备方法.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112802747 B (45)授权公告日 2021.07.16 (21)申请号 202110326630.8 (56)对比文件
2023-06-02 约1.46万字 12页立即下载
深紫外LED外延片、制备方法及半导体器件.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114566578 A (43)申请公布日 2022.05.31 (21)申请号 202210326620.9 (22)申请日 2022.03.30 (71)申请人江苏第三代半导体研
2023-05-09 约1.54万字 15页立即下载
一种绝缘栅半导体器件及其制备方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114883380 A (43)申请公布日 2022.08.09 (21)申请号 202110649855.7 (22)申请日 2021.06.10 (71)申请人上海林众电子科技有限公司地址 2
2023-05-14 约1.37万字 12页立即下载
半导体器件及其制备方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114883402 A (43)申请公布日 2022.08.09 (21)申请号 202210523978.0 (22)申请日 2022.05.13 (71)申请人合肥晶合集成电路股份有限公司地址
2023-05-16 约1.68万字 14页立即下载
半导体器件及其制备方法.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112825300 A (43)申请公布日 2021.05.21 (21)申请号 20191
2023-06-03 约1.15万字 12页立即下载
一种半导体器件及其制备方法.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113394165 A (43)申请公布日 2021.09.14 (21)申请号 202110559298.X (22)申请日 2021.05.21 (71)申请人上海朕芯微电子科技有限公司
2023-06-21 约9.33千字 10页立即下载