【2017年整理】光刻技术回顾.ppt

光刻技术;目 的;①高分辨率。通常把线宽作为光刻水平的标志，线宽越来越细，要求光刻具有高分辨率。 ②高灵敏度的光刻胶。光刻胶的灵敏度通常是指光刻胶的感光速度。光刻胶灵敏度提高，曝光时间短，但往往使光刻胶的其他属性变差。 ③低缺陷。在集成电路芯片的加工进程中，如果在器件上产生一个缺陷，即使缺陷的尺寸小于图形的线宽，也可能会使整个芯片失效。 ④精密的套刻对准。集成电路芯片的制造需要经过多次光刻，在各次曝光图形之间要相互套准。通常要采用自动套刻对准技术。误差≤± 10%L ⑤对大尺寸硅片的加工。为了提高经济效益和硅片利用率，一般在一个大尺寸硅片上同时制作很多个完全相同的芯片。对于光刻而言，在大尺寸硅片上满足前述的要求难度更大。;3.1 概述; 光刻工艺就是利用光敏的抗蚀涂层发生光化学反应，按照确定的版图图形，结合刻蚀方??在各种薄膜上（如SiO2等绝缘膜和各种金属膜）制备出合乎要求的电路图形，包括形成金属电极和布线、表面钝化以及实现选择性掺杂。由于集成电路有一定的空间结构，需多次使用光刻，每块集成电路一般要进行6～7次光刻，所以氧化工艺与光刻工艺的结合构成了整个平面工艺的基础。; 分辨率、 焦深、 对比度、 特征线宽控制、 对准和套刻精度、 产率以及价格。 ;*;*;3.2 基本光刻工艺流程;*;涂 胶;涂胶：采用旋转涂胶工艺;前 烘;*;*;显 影;*;腐 蚀;去 胶;*;在光刻的过程中通常包括三个主要步骤：曝光、显影、刻蚀(或淀积) 。;*;光刻三要素：光刻胶、掩膜版和光刻机 一、 光刻胶 光刻胶又叫光致抗蚀剂，它是由光敏化合物、基体树脂和有机溶剂等混合而成的胶状液体 光刻胶受到特定波长光线的作用后，导致其化学结构发生变化，使光刻胶在某种特定显影溶液中的溶解特性改变 ;显影液;*;*;*;*;*;*;*;*; 掩模版的制备流程 (1)空白版的制备 (2)数据转换 (3)刻画 (4)形成图形 (5)检测与修补 (6)老化与终检 ;*;掩膜版质量的要求;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*