【2017年整理】光刻技术及发展前景讲解.ppt

Photolithography;为什么要“重点”研究光刻？;为什么要“重点”研究光刻？;光刻概述 Photolithography;光刻技术的原理;光刻工序;1、清洗硅片 Wafer Clean;清洗硅片 Wafer Clean;2、预烘和底胶涂覆 Pre-bake and Primer Vapor;预烘和底胶蒸气涂覆;3、光刻胶涂覆 Photoresist Coating;实验室匀胶机;Photoresist Spin Coater;滴胶;4、前烘 Soft Bake;Baking Systems;5、对准 Alignment;6、曝光Exposure;7、后烘 Post Exposure Bake;8、显影 Development;Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.;Development Profiles;9、坚膜 Hard Bake;10、图形检测 Pattern Inspection;临界尺寸Critical Dimension;集成电路工艺所采用的光刻技术; 当22nm工艺节点来临之时，又将要会采用什么样的光刻工艺呢？;为什么22nm节点之后光刻就这么难？;听听来自工业界的声音！;最为活跃的193nm浸入式光刻;最为活跃的193nm浸入式光刻;前景光明的EUV极端远紫外光刻;前景光明的EUV极端远紫外光刻;前景光明的EUV极端远紫外光刻;前景光明的EUV极端远紫外光刻;其实各大厂商已经开始为EUV布局！;台积电公司订购ASML公司极紫外光刻系统Twinscan NXE3100;EUV技术在Intel的实战中取得成果;光刻技术面临的困难与挑战;但一切还远没有结束! 据Intel表示，11nm制程节点上该公司的光刻技术将采用多种光刻工艺互补混搭的策略，将193nm沉浸式光刻技术与EUV,无掩模光刻（maskless）等技术混合在一起来满足11nm制程的需求。 从Intel的计划路线图，我们可以看出，未来的11nm工艺可能会是多种工艺技术的混合应用，以便达到更加卓越的效果！ ;Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.